关于RFSOI工艺的一些困惑

yurunji · 发表于 2024-7-9 09:25:06

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做之前被告知也是cmos工艺，但是细看下来感觉算是全新的东西了，以前只做过CMOS，对于这种工艺不甚理解，各位大佬有没有这方面的资料，烦请赐教

首先是发现mos类型很多，包括L-gate，T-gate，H-gate等，mos后缀也有-RF这种，而且这种工艺貌似是没有一个大的衬底的，我做的XMC工艺是用一层CCT,M1,M1TXT来连接衬底，这是之前没接触过的做法，以前是直接guardring做bulk端连接衬底，而且这个工艺mos直接彼此绝缘，是否直接不需要guardring了。
新手接触，问题太杂，还望各位大佬不吝赐教

Yyq0413 · 发表于 2024-7-9 09:27:55

soi和cmos是两种不同的工艺

yurunji · 发表于 2024-7-9 09:29:22

同时也发现dgnfet—L这个mos同时有P注入和N注入，这是什么做法

yurunji · 发表于 2024-7-9 09:35:15

Yyq0413 发表于 2024-7-9 09:27
soi和cmos是两种不同的工艺

我目前工艺文件看下来也是完全不一样的

hour_buuu · 发表于 2024-7-9 09:49:49

soi每个管子之间的衬底都是隔离的，不能像cmos一样在管子外面打衬底接触，所有是自带衬底的，管子有n有p就是因为有源漏也有衬底

yurunji · 发表于 2024-7-9 09:54:38

hour_buuu 发表于 2024-7-9 09:49
soi每个管子之间的衬底都是隔离的，不能像cmos一样在管子外面打衬底接触，所有是自带衬底的，管子有n有p就 ...

感谢指教，所以是不是在SOI工艺中不再需要guardring的存在了，版图最终是一个个管子的排列加走线，还有，如果有几个同衬底的mos是不是需要放在一起用标识层layer框起来（xmc提供了PV层把衬底之间隔开）

hour_buuu · 发表于 2024-7-9 10:27:59

yurunji 发表于 2024-7-9 09:54
感谢指教，所以是不是在SOI工艺中不再需要guardring的存在了，版图最终是一个个管子的排列加走线，还有， ...

guardring起不到给管子衬底的作用，但是可以用来隔离，版图我觉得比cmos简单，摆管子连线就行了，同衬底的管子用金属连起来就行了，xmc的我没画过不清楚

yurunji · 发表于 2024-7-9 10:43:26

hour_buuu 发表于 2024-7-9 10:27
guardring起不到给管子衬底的作用，但是可以用来隔离，版图我觉得比cmos简单，摆管子连线就行了，同衬底 ...

了解了，是在感谢~~

happy_star · 发表于 2024-7-9 14:04:19

这种soi工艺的是不是没有latchup了？

yurunji · 发表于 2024-7-9 17:44:02

happy_star 发表于 2024-7-9 14:04
这种soi工艺的是不是没有latchup了？

看工艺剖面图彼此是绝缘的，应该是不会有latchup

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