栅氧和场氧分别指哪个区域？

风入松林

王小乖 发表于 2024-6-21 14:56
你确定这个TGOX50是场氧吗，DR里面对这个layer的介绍有吗，器件的剖面图也贴一下 ...

TGOX50是栅氧啊，DR里对他所有的描述就这一句，其他提到的就是些规则。器件剖面图没有涉及到这一层。

melody027

mark!

yanpflove

@melody027
谢邀
1，在工艺过程中，是以晶圆为单位的，一整片一整片地执行工艺流程。
2，进行栅氧化层的生长时，一整片晶圆中的所有有源区，都会生长氧化层（MOS的poly栅极下方会生长，源漏有源区上也会生长，Ring上也会生长。）
3，栅氧化层的厚度很小，即使源漏/Ring等地方生长了栅氧化层，也没关系：离子注入可以穿透这些很薄的栅氧化层

wangjizuijiu

yanpflove 发表于 2024-7-22 09:51
@melody027
谢邀
1，在工艺过程中，是以晶圆为单位的，一整片一整片地执行工艺流程。

请问一下，那sti和场氧化区是一起刚好重叠的存在吗

serendipity-jy

wangjizuijiu 发表于 2024-7-22 10:04
请问一下，那sti和场氧化区是一起刚好重叠的存在吗

通俗来说STI是浅槽隔离方式以减少注入时的应力，和这个没有关系。你说的STI是什么意思呢？

风入松林

serendipity-jy 发表于 2024-7-22 11:02
通俗来说STI是浅槽隔离方式以减少注入时的应力，和这个没有关系。你说的STI是什么意思呢？
...

照工艺上来看，场氧长在没有diff的区域，STI也是做在每个diff之间用来隔离，那么是不是可以理解为场氧的区域和STI的区域是重合的呢？

melody027

yanpflove 发表于 2024-7-22 09:51
@melody027
谢邀
1，在工艺过程中，是以晶圆为单位的，一整片一整片地执行工艺流程。

@yanpflove谢谢前辈解答！可以如下理解吗：
在STI隔离区腐蚀出一定深度的沟槽，再进行侧墙氧化，用CVD法在沟槽中淀积多晶硅（有的资料写的SiO2？）当绝缘层，最后通过CMP法平坦化，形成沟槽隔离区和有源区。然后在一整片晶圆中的，STI沟槽上方，以及所有有源区，都会生长薄薄的栅氧化层（MOS的poly栅极下方会生长，源漏有源区上也会生长，Ring上也会生长，STI沟槽上方也会生长）。

Annie_kyohou

闯关羊大侠 发表于 2024-6-20 16:36
应该是这样

我觉得不太对，你想想，为什么器件的gate要做两层呢？不在器件上打孔是为了尽量不影响沟道，场氧应该是用于隔离有源区的