栅氧和场氧分别指哪个区域？

风入松林

如题，有点学懵了，场氧区是diff的取反，那栅氧区是怎么定义的呢？


更新：在DB里，TGOX50这层代表5v mos的gate oxide regions，即5vmos的栅氧区域，按道理讲tgox50应该只在diff和poly的重叠区域出现，为什么tgox50框了那么大一片，甚至在iso环上也有？这样一来，在场氧是diff的取反的前提下，场氧和栅氧岂不是重叠了？

闯关羊大侠

应该是这样

陈卫霖

个人理解：器件隔离的地方用的场氧，控制沟道导通的地方（POLY和AA重合的区域）用的栅氧，两者的主要材料都是二氧化硅，但是栅氧比场氧要薄，这也是不在栅极上面打孔的原因。

风入松林

陈卫霖 发表于 2024-6-21 11:52
个人理解：器件隔离的地方用的场氧，控制沟道导通的地方（POLY和AA重合的区域）用的栅氧，两者的主要材料都 ...

意思是STI=场氧，对吗？

teresa_xie

这个图片是之前学习BCD工艺画的图片，图中是制作完管子源端漏端的示意图，可以很清楚的看到栅氧和场氧的位置哈~~

剖面图

王小乖

你确定这个TGOX50是场氧吗，DR里面对这个layer的介绍有吗，器件的剖面图也贴一下

_spock

DB工艺Designer rule里面MASK部分描述，TGOX ：Thick gate oxide region，个人理解应该是来标识栅氧厚度的mask。

陈卫霖

风入松林 发表于 2024-6-21 13:54
意思是STI=场氧，对吗？

应该不是，
STI是浅沟槽隔离，是在衬底上挖一个槽，然后再在槽里面填充氧化物，
场氧一般是局部硅化生成的厚的氧化层，两者做法不一样

风入松林

_spock 发表于 2024-6-21 15:12
DB工艺Designer rule里面MASK部分描述，TGOX ：Thick gate oxide region，个人理解应该是来标识栅氧厚度的m ...

为什么这层mask框选的区域会那么多呢？跟实际栅氧生长的地方很不一样啊

风入松林

陈卫霖 发表于 2024-6-21 15:13
应该不是，
STI是浅沟槽隔离，是在衬底上挖一个槽，然后再在槽里面填充氧化物，
场氧一般是局部硅化生成 ...

那么STI的区域和场氧的区域是重合的吗？