物理隔离问题

wyg8871 · 发表于 2024-6-18 14:06:53

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如图，A模块和B模块之间，我打算做一堵墙来隔离相互串扰，AB间距不变的情况下，是通过DNW ring接vdd好，还是盖NT_N做一个高阻区域好？另外，NTN做为一个轻掺杂区域，它影响的深度有多深，和DNW相比，是比DNW深还是浅？

wyg8871 · 发表于 2024-6-18 15:59:37

来个大佬指点一下

이지은 · 发表于 2024-6-18 16:16:19

DNW

teresa_xie · 发表于 2024-6-18 17:02:05

想问一下NTN是什么层次呢？
两个模块之间如果距离够的话，double ring要比单ring要好一些的。

이지은 · 发表于 2024-6-18 17:12:56

teresa_xie 发表于 2024-6-18 17:02
想问一下NTN是什么层次呢？
两个模块之间如果距离够的话，double ring要比单ring要好一些的。 ...

再怎么参杂也没有ring的效果好，画个剖面就懂了，dnw直接是里外两个pn结，doublering就是*2，肯定要比靠浓度的好啊

poly_lq · 发表于 2024-6-18 17:16:00

NTN在芯片中没有这一层，你的剖面图不对，你应该把A，B区域画pwell，而原本NTN的区域不画PWELL。DNW隔离会更好些，pwell的深度基本跟nwell一样

wyg8871 · 发表于 2024-6-18 17:36:03

poly_lq 发表于 2024-6-18 17:16
NTN在芯片中没有这一层，你的剖面图不对，你应该把A，B区域画pwell，而原本NTN的区域不画PWELL。DNW隔离会 ...

A B代表两个模块，画NT_N是为了说明这一部分是轻掺杂高阻区域，现在就是A和B都不能做在dnw中，里面的电位太复杂了，只能在中间加一堵墙，形不成真正意义上的dnw隔离，即使加上nw，芯片底板还是连接起来的，现在就是看那种情况更好。如果NT_N轻掺杂的区域比DNW的话，相当于中间加了一个极大的电阻，如果NT_N和nw阱一样深的话，那就选dnw做隔离了

wyg8871 · 发表于 2024-6-18 17:39:23

이지은 发表于 2024-6-18 17:12
再怎么参杂也没有ring的效果好，画个剖面就懂了，dnw直接是里外两个pn结，doublering就是*2，肯定要比靠 ...

目的是避免整个芯片大衬底对模块的干扰，doulering只是屏蔽侧面的吧

wyg8871 · 发表于 2024-6-18 17:44:50

이지은 发表于 2024-6-18 17:12
再怎么参杂也没有ring的效果好，画个剖面就懂了，dnw直接是里外两个pn结，doublering就是*2，肯定要比靠 ...

现在有两派，rf说他们以前都是用NT_N在模块之间盖满做隔离，数字说他们以前用DNW在数字和模拟之间做一道墙。现在没人拍板用哪个方法，也没有mpw来验证了。现在上量产了

Chenhw · 发表于 2024-6-18 17:54:40

wyg8871 发表于 2024-6-18 17:44
现在有两派，rf说他们以前都是用NT_N在模块之间盖满做隔离，数字说他们以前用DNW在数字和模拟之间做一道 ...

是的，rf一般都是用NT模块直接盖住，也就是本征浓度，psub不做掺杂；理论上DNW和NT一起用不冲突吧，一个纵向一个横向

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