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发表于 2024-6-6 20:53:39 | 显示全部楼层 |阅读模式

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发表于 2024-6-7 09:12:59 | 显示全部楼层
谁能不喜欢第二个呢,但是感觉电阻没匹配
发表于 2024-6-7 09:24:50 | 显示全部楼层
第二个看着也舒服点
发表于 2024-6-7 09:52:08 | 显示全部楼层
第二个布局看起来相对合理,第一个电阻没有匹配肯定不行
发表于 2024-6-7 10:08:33 | 显示全部楼层
没有人会拒绝第二个
发表于 2024-6-7 11:37:54 | 显示全部楼层
建议参考原版图布局。
发表于 2024-6-7 14:38:29 | 显示全部楼层
就布局来看,确实右边的会好些,但是不能放大看到细节,右边需要匹配的管子都在中间,并且由mos电容隔开,敏感的需要匹配的管子建议这么处理,离外界的其他环境远些。不过由于不能放大的话,只能大概根据目前所看到的给些建议。
1.电源需要强化,大部分情况下,连接紧密并且大线宽的电源都是有好处的
2.电阻的两侧都会加上dummy,有条件的话,甚至会围一圈,然后接地,尺寸可以小些,如果是需要精度的电阻的话,并且电阻上尽量不要有线跨过。
3.大尺寸的mos管,一般mos管电容多一点,中间需要插tap,来避免由于阱电位固定不好导致的,闩锁效应。一般来说,tap环到中心的距离大于25um,就需要将管子拉开加tap了。以前做台积电的时候,是30um,drc会报错,但是有的工艺不完善不会报错,需要自己处理。
4.大面积的电阻存在的情况,会导致整个电阻阵列地下没有diff,在生产过程中对平坦化有影响,所以很有可能会报diff密度不够的错,在top上跑drc的时候,遇到大面积的电阻的情况,还是需要拉开在他们之间插上一定的diff,将电阻阵列分成几块即可。当前你这个有两排的话,在他们中间插上tap即可,具体多宽要看工艺的密度要求
发表于 2024-6-7 17:27:19 | 显示全部楼层
本帖最后由 李幕白 于 2024-6-7 17:28 编辑


熊韵 发表于 2024-6-7 14:38
就布局来看,确实右边的会好些,但是不能放大看到细节,右边需要匹配的管子都在中间,并且由mos电容隔开, ...


这种回复真好,有建议怎么改,有原因剖析,非常详细!寥寥数百字让我醍醐灌顶
发表于 2024-6-11 15:35:54 | 显示全部楼层
看着不错的版图性能也不会太差
发表于 2024-6-11 16:03:27 | 显示全部楼层
R0和R1是不是需要做个插指匹配?另外我有个问题,有些线不得不跨过需要匹配的电阻,这种情况下是放几根dummy电阻走线好呢还是盖一整片M2/M3,再用上层金属走线好呢?
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