标准单元模块的重掺杂在gds中是如何体现的

chaihanlin · 发表于 2024-6-4 11:01:46

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从网上找了一张理论上的mos管的版图示意图，其中的pmos，p+看起来是分开的，但是我从gds中发现重掺杂往往是铺满整个mos管。

chaihanlin · 发表于 2024-6-4 16:37:44

引用自百度，这应该就是为什么重掺杂铺满整个mos的原因

自对准技术与常规技术的工艺步骤完全不同，在常规的MOS技术中是先制作源、漏极，然后再制作栅极；但是自对准技术则是先制作栅极，然后再制作源、漏极。在自对准技术中，实际上就是利用栅极本身作为掩模来进行n源区和漏区的离子注入，使得其间的重叠部分几乎减小到了0

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