关于PNP作为ESD器件的使用？

glchun

xwa 发表于 2024-8-1 16:20
VDD to GND打ESD的时候，B点的电位比E点电位低一个I*R的电压（R是这里的1k电阻，I是BC结的反偏电流）虽然这 ...

我也觉得是这样的。

我猜他们家的ESD BVdss和Vt1的gap太大，会吃掉ESD的design window，所以增加E/B电阻降低Vt1。