关于PNP作为ESD器件的使用？

Wzx_imos · 发表于 2024-5-20 16:50:06

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为什么PNP作为ESD防护器件的时候需要在源端和基极之间加一个1K欧姆的电阻呢？

胖飞虫 · 发表于 2024-5-20 19:28:41

调节触发电压

Nick95 · 发表于 2024-5-20 19:30:12

这个是BCD工艺的管子吗？

Wzx_imos · 发表于 2024-5-20 20:29:59

Nick95 发表于 2024-5-20 19:30
这个是BCD工艺的管子吗？

是的！

fei_SH · 发表于 2024-5-21 09:30:39

这是dongbu的BCD吧？
加电阻的好处是让PNP更容易开启，坏处是需要额外加ESD diode。

fj0510 · 发表于 2024-5-21 09:37:37

DBHT的181a里的ESD pcell是吧，我在这里提出自己的理解，希望大家批评指正。
我认为电阻在这里是为了限流，限制base-collector的电流大小。因为在版图上看，base是绕着ESD finger一整圈的，对应的有效长度要小于内部finger，随着ESD电流的增大，部分电流会流经base区，造成这部分金属/结的失效。

Wzx_imos · 发表于 2024-7-30 22:37:01

fj0510 发表于 2024-5-21 09:37
DBHT的181a里的ESD pcell是吧，我在这里提出自己的理解，希望大家批评指正。
我认为电阻在这里是为了限流， ...

对是DBHT的，但是是100v,还是60v我忘记了，不过这两个工艺下的PNP结构都是一样的结构

Wzx_imos · 发表于 2024-7-30 22:39:00

fei_SH 发表于 2024-5-21 09:30
这是dongbu的BCD吧？
加电阻的好处是让PNP更容易开启，坏处是需要额外加ESD diode。 ...

我不是很能理解为什么加上这个电阻之后，就能让PNP器件更好的开启，大佬能简单的解释一下吗？

fei_SH · 发表于 2024-7-31 08:38:58

HV pnp是相当难触发的结构。base加电阻，可以让Nwell电位更容易被拉低，开启PNP，从而降低触发电压，使得PNP快速进入大电流泄放模式。

xwa · 发表于 2024-8-1 16:20:30

VDD to GND打ESD的时候，B点的电位比E点电位低一个I*R的电压（R是这里的1k电阻，I是BC结的反偏电流）虽然这个电流很小，但是乘以1K的电阻之后也会比较大，这样的话就可以让E和B之间有一个电位差，让pnp更容易触发，降低了触发电压（本人拙见，如有不对还望指出）

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