ESD测试+2000v pass -2000v fail

芯片小兵 · 发表于 2024-5-20 10:02:16

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请教一个问题，为什么ESD测试的时候，在+2000v的时候可以，然而-2000v的时候就no了。

芯片小兵 · 发表于 2024-5-20 10:08:03

追问一句，这种情况的出现，是schematic的问题，还是layout的问题。查了一些资料，多半是在说，电路设计的不对称的原因。

tStone · 发表于 2024-5-20 11:26:25

看你的正反ESD路径分别是啥，不同路径ESD能力不用；即便相同路径，ESD器件的正ESD能力和负ESD能力也有差别。

芯片小兵 · 发表于 2024-5-20 13:42:06

tStone 发表于 2024-5-20 11:26
看你的正反ESD路径分别是啥，不同路径ESD能力不用；即便相同路径，ESD器件的正ESD能力和负ESD能力也有差别 ...

这个差别的特性，会是什么导致的呢？例如我-2000v没有过，那么应该如何找问题呢。

tStone · 发表于 2024-5-20 15:07:26

ESD喜欢找你路径上的薄弱点，然后进行突破。例如你一个ESD路径的设计绝大部分满足了2kV，甚至3kV，但是某一个点只有1.5kV，那你整个的ESD能力就只有1.5kV，至于薄弱的在哪里？只能挨个筛查，例如线宽满不满足，器件是否按照晶圆厂提供的规格进行设计，有没有偷rule。ESD是否总是满足先经过ESD路径再进内部电路的条件等等。

芯片小兵 · 发表于 2024-5-20 17:59:14

tStone 发表于 2024-5-20 15:07
ESD喜欢找你路径上的薄弱点，然后进行突破。例如你一个ESD路径的设计绝大部分满足了2kV，甚至3kV，但是某一 ...

我这边是两个相同的ESD结构，版图画的也基本一样的。但是结果就是PAD1下面的问题，PAD2下面的就没有问题。对比了版图和电路，基本上是没有差别的，还会有别的地方有可能导致PAD1下面的ESD出现问题吗？

[讨论] ESD测试+2000v pass -2000v fail

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