DMOS中这个RPO在这里有什么用？

danalog · 发表于 2024-5-10 16:59:01

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大佬们，这个RPO在这里有什么用呢？还有RPO的制作顺序是在源漏注入之后吗？

向天笑白羊 · 发表于 2024-5-10 17:06:25

插眼

wanna9808 · 发表于 2024-5-10 17:16:25

帮顶

tea_whz · 发表于 2024-5-10 17:19:57

增加漂移区电阻吧，毕竟salicide工艺表面电阻很低的，加了RPO阻止表面金属化可以增加表面电阻

danalog · 发表于 2024-5-10 17:24:20

tea_whz 发表于 2024-5-10 17:19
增加漂移区电阻吧，毕竟salicide工艺表面电阻很低的，加了RPO阻止表面金属化可以增加表面电阻 ...

那么为什么不用POLY全盖起来呢？

王小米 · 发表于 2024-5-10 17:43:03

帮顶

andyfan · 发表于 2024-5-10 17:54:51

danalog 发表于 2024-5-10 17:24
那么为什么不用POLY全盖起来呢？

POLY全盖起来，D的电压不是直接和G见到了；增加这个电阻，就是增加D和G之间的压差，不让栅哪里直接见到高压啊

[求助] DMOS中这个RPO在这里有什么用？