大家聊聊版图各种效应和规避方法。

xwmBrave · 发表于 2024-5-8 10:57:28

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版图各种效应包括怎么产生怎么规避欢迎大家来讨论。

maomao198477 · 发表于 2024-5-8 11:00:40

说说你想到的

liu18662648735 · 发表于 2024-5-8 11:35:46

常知的WPE，LDO通过合并OD添加dummy解决；finfet中因工艺特征PSE效应更加明显，方案就是统一poly间距，同样finfet生产中又会通过PSC切割栅，所以poly-cut若是太靠近fin时会影响靠近的边缘金属填充物，影响阈值电压（GLE效应），以上就是我所知道能理解的常见的效应，有知道更多的欢迎大佬们补充

xwmBrave · 发表于 2024-5-8 13:35:17

liu18662648735 发表于 2024-5-8 11:35
常知的WPE，LDO通过合并OD添加dummy解决；finfet中因工艺特征PSE效应更加明显，方案就是统一poly间距，同样 ...

棒棒哒

Crazyfeng. · 发表于 2024-5-8 14:11:27

简而言之到了finfet，能多塞DMY多塞DMY，做matchX轴要share od（并且Y轴方向OD spcae尽量以4fin的倍数）

大江南北 · 发表于 2024-5-8 15:59:06

最常见的就是wpe和STI，wpe其最常用的方法就是关键器件的上下左右都加dummy，并保持well距离关键器件2um左右，工艺不同，这个值可能不一样；sti就是应力效应，也叫lod,最常见的方法就是share od,并加dummy.

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