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[原创] 为什么芯片大多数是P型衬底而不是N型衬底?

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发表于 2024-4-29 19:29:51 | 显示全部楼层 |阅读模式

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1,为什么芯片大多数是P型衬底而不是N型衬底?
  若芯片为N衬底,为保证PN结不反偏,就需保证P边电压永远低于N边,若芯片为N衬底,则Pmos管将直接做在N_substrate,而Pmos管的源漏端电压可能存在高低压,为防止PN结正偏,则N衬底的电压应永远高于pmos源漏端的电压,那这个接在N衬底上的电压在多电源域比较难控制!
  在p上做n+的扩散在工业上比在n上做p+的成本低。
  可以直接在p衬底上做nmos,nmos的速度亏啊(电子迁移速度快)。
2,耗尽型MOS管
N/P沟道耗尽型场效应管
  N沟道耗尽型MOSFET的结构与增强型MOSFET结构类似,只有一点不同,就是N沟道耗尽型MOSFET在栅极电压Vgs=0时,沟道已经存在。其在制造过程中,预先在Sio2绝缘层中掺如大量正离子或者负离子,因此在Vgs=0时,这些正离子或者负离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够的电子或空穴,形成N型导电沟道或者P型导电沟道,称之为初始沟道。只要源漏端添加电压,就会有漏极电流存在。
  native管
native mos为阈值电压接近为0的管子,实际也是耗尽管。工艺比较落后的耗尽管实在氧化层中掺杂例子使氧化层带电荷,从而使得该mos管未加电压就可导通。现代工艺技术是通过调整沟道掺杂来完成的。
  本征管是指做完mos管之后没有进行与之调整步骤,因此阈值接近于0v。随着corner和温度的变化,可以变成正德或者负的。耗尽管在Vgs=0是常开的,因此阈值是一个负值,一般不会变成正的,许特殊加工步骤。
  优点:native管一般用作电容,用作电容时比较稳定,一同与正常mos工作在亚阈值区时,电容会很小。
  用在LDO源跟随时,有效降低drop。
  由于不需要额外压降,在低压应用中,提高psrr。


发表于 2024-4-29 19:46:33 | 显示全部楼层
支持
发表于 2024-4-30 14:29:33 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2024-4-30 14:34:49 | 显示全部楼层
感谢分享
发表于 2024-4-30 14:46:31 | 显示全部楼层
谢谢
发表于 2024-4-30 14:55:12 | 显示全部楼层
1、不应该是保证PN结反偏才需要Pwell电位低于Nwell电位吗?
 楼主| 发表于 2024-5-6 20:35:40 | 显示全部楼层


模拟之路 发表于 2024-4-30 14:55
1、不应该是保证PN结反偏才需要Pwell电位低于Nwell电位吗?


就是防止PN结正偏!
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