深亚微米电路设计需考虑的反向短沟道窄沟道速度饱和速率过冲衬底电流等影响

小微电路

短沟道效应（SCE）：长沟道器件的 Vth是与沟道长度L、漏电压Vd无关的，但当 L 变小，Vth会随着沟长L 减小；
反向短沟效应 （RSCE）:当器件使用 halo 注入工艺时，Vth会随着L的减小而增大。

窄沟道效应（NWE）：在场氧隔离（LOCOS）的 MOSFET 工艺中，在薄的栅氧的两侧是厚的场氧，多晶硅覆盖其上，
      在场氧表面下需要场注入，阻止由于栅电极引起的表面反型。而由于场氧区对沟道区耗尽层的电荷贡献，导致 Vth增大，当栅宽变小时，更加明显；
反向窄宽效应（RNWE）：在浅沟槽隔离（STI）工艺中，窄宽效应表现出相反的特性，对于浅沟槽隔离的器件，由于沟道边沟槽隔离的陡峭的几何形状，使栅
      极电应力在此聚集，导致沟道边上的反型层更容易形成，因此在窄宽时，器件的 Vth减小。


其它效应及应对措施见下面

SMU001

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