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查看: 726|回复: 4

[求助] GF HBT衬底连接和guardring类型

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发表于 2024-4-15 20:13:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

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求助,SiGe BiCMOS工艺的HBT npn晶体管衬底应该怎么连接呀?以及能直接使用和NMOS一样的guardring吗?

截屏2024-04-15 下午8.10.57.png
 楼主| 发表于 2024-4-15 20:20:36 | 显示全部楼层
upupup!
发表于 2024-4-15 21:42:39 | 显示全部楼层
bicmos npn哪有guard ring,它是三端器件,你看下fab training tutorial。不要上手就开始做电路。
 楼主| 发表于 2024-4-17 22:03:16 | 显示全部楼层


jiaoda 发表于 2024-4-15 21:42
bicmos npn哪有guard ring,它是三端器件,你看下fab training tutorial。不要上手就开始做电路。 ...


可是我所用的工艺库中BJT有bulk接口,LVS报错也显示使用的BJT有c,b,e,s四个端口,那用和MOS管一样的道理用guardring将衬底打通起来连接,这样理解不对吗?

 楼主| 发表于 2024-4-23 14:51:15 | 显示全部楼层
【已解决】LVS会计算VSS到衬底的寄生电阻,这需要在原理图中添加subc器件模拟对应的寄生,将所有BJT、NMOS的bulk端连接到衬底,共射极的E端连接到VSS。
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