当输入电源电压较高时，如何做带隙基准

mercy_tu · 发表于 2024-4-9 11:51:18

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本人模拟新手，想请问各位大佬，当输入电源电压较大，如带隙基准的MOS管耐压仅为5V，输入电源电压为20V，如何做带隙基准，见到网上的结构是做预稳压，但是其中的基准产生电路和运放难道全用LDMOS或者DEMOS这种高耐压的管子做吗？

youngabin · 发表于 2024-4-9 15:36:03

你这个预稳压意思是一个相对粗糙的LDO？应该是用高压管和稳压二极管得到粗糙的基准电压（假设1V左右）。然后VDDL得到一个粗糙的低压电源，再给核心基准供电得到精准的基准电压（假设1.2V）反过来给LDO做基准（假设运放为NMOS输入，1.2V和1V在同一输入端，1V不起作用）然后得到精准的VDDL。这样的话运放确实需要高压管，不过每条支路有一根耐压就行，比如电流偏置为共源共栅那就共栅管用高压管，其他为低压管。功率管也要用高压管。

mercy_tu · 发表于 2024-4-11 12:05:43

谢谢2L

Talon. · 发表于 2024-4-11 19:58:09

你用预稳压，把电压降到比如3v-4v,这不就是一个常见的LDO输入了嘛，预稳压用高压管做，剩下的就可以用正常管子了，这样版图面积也能控制

mercy_tu · 发表于 2024-4-19 10:40:59

Talon. 发表于 2024-4-11 19:58
你用预稳压，把电压降到比如3v-4v,这不就是一个常见的LDO输入了嘛，预稳压用高压管做，剩下的就可以用正常 ...

谢谢大佬

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