动态比较器（StrongARM或Double-Tail或类似架构）的失调电压在先进工艺下标准差很大

调皮捣蛋

我根据常见动态比较器架构（StrongARM或Double-Tail或类似架构），搭建一个动态比较器，并对晶体管引入蒙特卡洛模型，对比较器的失调电压进行测试
我使用的是40nm工艺，动态比较器的输入差分对管的宽长比采用工艺允许的，最小的宽长比例120nm/40nm，仿真表明该比较器的失调电压非常大，失调电压标准差为57mV，双侧极值达到±150mV
我看其他工艺，有人使用过.18um工艺，晶体管宽度基本上都是几个微米，仿真出来的失调电压都很小（~5mV）
我尝试在40nm工艺下将晶体管宽度也调整到几个微米，仿真得到失调电压减小到6mV
请问有大佬在先进工艺下用最小尺寸晶体管做动态比较器，验证过失调电压吗？会有我给出的这么大的数值吗？
随着工艺节点的微缩，比较器的失调电压是会逐渐增大的吗？一般在先进工艺下，做比较器会考虑增加晶体管的宽长比吗？我知道有些失调校准技术，但是目前我得到的失调电压的范围跨度太大了，所以想问问大佬，从失调电压的角度考虑，比较器中的晶体管的尺寸不能再随工艺节点的微缩而进一步减小了吗？

龙9527

1. 失调电压在几mV甚至十几mV是有可能的
2. 解决这个问题不是靠增大W,L，而是增加offset校准功能，达到面积寄生小（适用于高速），且精准度高的目的

关寸舟

额，w为啥取的那么小

hebut_wolf

龙9527 发表于 2024-4-1 08:44
1. 失调电压在几mV甚至十几mV是有可能的
2. 解决这个问题不是靠增大W,L，而是增加offset校准功能，达到面积 ...

他这个W取得太小了，这样噪声也不好。

调皮捣蛋

龙9527 发表于 2024-4-1 08:44
1. 失调电压在几mV甚至十几mV是有可能的
2. 解决这个问题不是靠增大W,L，而是增加offset校准功能，达到面积 ...

在失调校准前，比较器的失调电压标准差达到了50多毫伏，是不是先应该增加输入晶体管的宽长比？

drayc

调皮捣蛋 发表于 2024-4-1 12:34
在失调校准前，比较器的失调电压标准差达到了50多毫伏，是不是先应该增加输入晶体管的宽长比？
...

必须的，从失调和噪声的角度考虑，都得先增大输入对管的宽长比，如果觉得失调还是偏大，再增加失调校准

electroniczz1

50mV是不是太夸张了 5nm一般都才几mV 都需要加入Offset校准

blackspeed

electroniczz1 发表于 2024-5-29 15:38
50mV是不是太夸张了 5nm一般都才几mV 都需要加入Offset校准

5nm才几mV？哪来的数据？

blackspeed

增加multi能解决问题，但不要寄希望和0.18um工艺相当，到了40nm，mos器件很多二阶效应的，不设的话，offset很大很正常。而且到40nm工艺，最小design rule是保证器件形状能做出来，不保证器件性能。你可以尝试设置这些二阶效应，看能否得到更好的结果。