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## 精读笔记 - <提出了一种具有高ESD鲁棒性的新型面积优化多指GGnMOS>��� Meta Data | A novel area-efficiency multi-finger GGnMOS with high ESD robustness | | | | Zhang Chunwei,Liu Siyang,Sun Weifeng,Shi Longxing | | |
A novel area-efficiency multi-finger GGnMOS with high ESD robustness所用工艺：<“0.35 lm non-salicide CMOS technology.”> 器件剖面：<剖面>
TLP测试数据：<测试数据图表>
file:///C:/Users/16670/AppData/Local/Temp/ksohtml13160/wps5.jpg 文章结论与创新点：<自拟> 提出了一种嵌入二极管的GGNMOS的多指布局，内嵌的二极管，用来为外指提供提供衬底电流，帮助外指的开启。使用本文提出的器件结构，因此，所提出的器件实现均匀导通所需的Ldg降低。实验结果表明，与传统器件相比，所提器件实现均匀导通所需的Ldg降低了30 %以上，总面积减少了20 %。 如图2所示，可以看出传统的多指GGNMOS器件并没有均匀导通。 如图3所示，可以看到传统的GGNMOS的 Vt1随着Ldg的增加而不断减小，甚至减小的比其直流BV还要低，这就要考虑到因Ldg增大而导致的哦漏极 的寄生电容增大，在ESD事件中大的寄生电容的充放电电流（论文中称之为唯位移电流），会帮助器件开启。因此随着Ldg的增加，器件的Vt1会降低。 如图4所示，可以看出使用新型的GGNOS的版图布局可以在Ldg为2um的时候便实现均匀导通，而传统的GGNMOS的多指布局需要子啊Ldg为3um或者4um的时候才能实现均匀导通。 图5所示的TCAD仿真图，可以用于分析新提出的内嵌二极管是如何辅助GGNMOS的多指布局均匀开启的，。 我的评论及想法：<评论及想法> 在GGNMOS的器件设计中Ldg显然是一个关键尺寸。 这个尺寸牵涉到了1.触发电压，2.器件的均匀开启，3.单指器件的It2。 关于第1点，关于图3的解释已经解释了其原理 关于第2点，是由于Ldg的增加，相当于在漏端增加了一个镇流电阻，镇流电阻的增加使得器件的Vt2>Vt1的时候，器件便能消除只有中间只开启而外指不开启的风险。关于这一点也有人用电阻可以减小电流的趋肤效应来解释，但是这种解释目前我还是不能理解。 关于第3点，这是因为器件在大电流工作时（泄放ESD电流时）其晶格热点是在漏极与沟道的交界处，增大Ldg，可以避免漏极的金属接触孔过早的热失效。 标签：[无 日期：2024-03-29
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发表于 2024-3-29 15:50:34
