nmos ldo功率管bulk电位选择问题

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最近看别人的一个要求在输入低到2v，输出依旧要有1.8v的nmos cp capless ldo功率管bulk选择了接地而不是连接到source减少衬偏降低阈值，我本来认为在这种低压nmos ldo工作下功率管应该尽量选择阈值低的接法，判断它可能是因为他的高压功率管是没有隔离才这样接，但我自己上手仿真后发现功率管bulk接地比接source瞬态好很多，虽然接地确实让输出等效阻抗低了一点，但这和两者瞬态之间的差距对不上，为什么bulk接地比接source瞬态会好这么多呢

qluo14

搬板凳学习。

请问可以解释一下“虽然接地确实让输出等效阻抗低了一点”的原因吗？ 因为引入gmb*Vbs，因此引入一个类似于ro的电阻还是怎么理解呢？

子车天纵

接在Source在ldo瞬态的时候需要给body diode的寄生电容充放电，可以看看这部分电容会不会产生影响。