DNW可以通过2V的NW接到高电位吗？

zhshmbb · 发表于 2024-3-23 18:50:57

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求大佬解答。

DNW里的N管是1.1V的（40n工艺）core device, 而DNW的电位需要通过NW接到2V的电源。那么这个NW需要叠加OD_25使它变成2.5V的NW吗？可以这么做吗？

感谢~

poly_lq · 发表于 2024-3-25 10:50:14

dnw为什么要接2V的电源，接1.1也没问题。另外接2V也不用加od2

大江南北 · 发表于 2024-3-25 17:21:50

不可以，工艺上NW就是坐在dnw里面的，你接到2.2V节过压了，od2 不能转换电压

zhshmbb · 发表于 2024-3-27 14:47:54

poly_lq 发表于 2024-3-25 10:50
dnw为什么要接2V的电源，接1.1也没问题。另外接2V也不用加od2

因为DNW里的那个1.1V的N管的漏端要接到2V电源上（请见附图）。这样做是希望用好几个N管堆叠来做一个高摆幅的cascode结构。

最上面那个N管的漏极接2V的话，那么它所在的DNW的NW-strap就得接2V，因此我在犹豫要不要用OD2使它变成2V的NW。

zhshmbb · 发表于 2024-3-27 14:49:53

大江南北发表于 2024-3-25 17:21
不可以，工艺上NW就是坐在dnw里面的，你接到2.2V节过压了，od2 不能转换电压
...

您好！
如附图所示，因为DNW里的那个1.1V的N管的漏端要接到2V电源上（请见图）。这样做是希望用好几个N管堆叠来做一个高摆幅的cascode结构。

最上面那个N管的漏极接2V的话，那么它所在的DNW的NW-strap就得接2V，因此我在犹豫要不要用OD2使它变成2V的NW。

poly_lq · 发表于 2024-3-27 15:17:14

zhshmbb 发表于 2024-3-27 14:47
因为DNW里的那个1.1V的N管的漏端要接到2V电源上（请见附图）。这样做是希望用好几个N管堆叠来做一个高摆 ...

即使nmos的drain接2.2V，DNW也可以是1.1V;另外NW接2V也是不需要加OD2的

zhshmbb · 发表于 2024-3-27 15:48:25

poly_lq 发表于 2024-3-27 15:17
即使nmos的drain接2.2V，DNW也可以是1.1V;另外NW接2V也是不需要加OD2的

明白了，非常感谢~~~

大江南北 · 发表于 2024-3-27 16:27:56

zhshmbb 发表于 2024-3-27 14:49
您好！
如附图所示，因为DNW里的那个1.1V的N管的漏端要接到2V电源上（请见图）。这样做是希望用好几个N管 ...

1.看图上gate接到了1.4V，而管子是1.1V，这里器件过压了

2.OD2是作用在栅氧层，不会对NW耐压做出改变,一般OD2是整个盖住器件的
3.图中NW是个隔离环nring,接到2V,应该没有问题，只要保证寄生的PN结不正偏

zhshmbb · 发表于 2024-3-27 20:55:05

大江南北发表于 2024-3-27 16:27
1.看图上gate接到了1.4V，而管子是1.1V，这里器件过压了

2.OD2是作用在栅氧层，不会对NW耐压做出改变,一 ...

虽然gate接到了1.4V，但是源极和bulk端接的是1.3V呢？

ken-via · 发表于 2024-3-28 07:26:46

dnw作用是隔离开PW和P-sub,可以用2.2v的，可以盖OD2,你要考虑的是你的core，

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