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Andyou · 发表于 2024-3-22 16:33:44

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ggnmos的drain端电位接pad source接vss ，pad接负电压，求泄放电流走向。我知道走的是drain到p衬底。现在向求助一下细节，泄放电流会走上下ptap的多一点还是左右的多一点。我个人更倾向于上下。但是一半二极管泄放都是沿长边泄放，不理解。

461551064a · 发表于 2024-3-22 17:27:23

GGNMOS， Drain接pad GSB接GND，如果pad来负压，那么GND相对来说是高，此时gate是导通的。电流可以直接流向psub。pad来正偏压的话 Gate为低处于关断状态，此时需要静电超过阈值，PN结形成的反向二极管击穿，电流泄放。
个人理解，如有不对请各位批评指正。

Andyou · 发表于 2024-3-25 09:05:02

461551064a 发表于 2024-3-22 17:27
GGNMOS， Drain接pad GSB接GND，如果pad来负压，那么GND相对来说是高，此时gate是导通的。电流可以直接流向 ...

这个可能不太对因为流片出来测试的时候。上下ptap的孔烧坏了，管子没坏，所以感觉应该不走沟道。也有可能是别的情况，我个人是觉得应该走寄生的pn（p衬底——Ndrain），负向电压的载流子（电子）先正向导通，下沉到衬底，然后分别被上下的pring吸收，电子不向两边做飘逸运动（大多数载流子），因为gate那里关断了，过不去，所以上下的ring就烧了。我问了几个人，他们都说不对。

poly_lq · 发表于 2024-3-25 10:54:10

sub对D高，泄放通路未正向PN结，通路电阻越小电流越大

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