LDO电路如何改善负载电流变化引起的电压变化

electroniczz1 · 发表于 2024-3-18 19:13:13

DramaFun 发表于 2024-3-18 18:27
好的，谢谢建议！

Bilibili有个视频做了个初版的FVF LDO 你可以搜一搜 FVF LDO

yangnanfrank · 发表于 2024-3-19 09:27:45

一定要学会分析。这个很重要。
1。没有外部电容的时候，你的主极点在op的输出。op的输出节点是个高阻大电容的节点，意味着电压变化较慢，你负载跳变后，功率输出级mos的 gate电压还停留在原来的电压，没有及时响应。那你就得增大带宽了。用FVF可以降低输出电阻，可以试试看。
2。有外部电容，主极点在输出电容那里，你的次极点在重载时，跟主极点太近就会振荡。那就得补偿次极点，或者将次极点推远。都建议做个环路推导，分析完了再去仿真。

DramaFun · 发表于 2024-3-19 18:57:57

xublack 发表于 2024-3-18 09:46
2）PMOS作为功率管，LDO输出如果不加足够大的电容的话，瞬态响应不会很好，建议改成NMOS管作为功率管
3）NM ...

好的，我没有考虑过功率管的问题。加大输出电容确实可以缓解瞬态响应，但是发现输出电压在大电流情况下有微小的振荡。我想改成添加辅助电路的结构。有人给我一篇论文A Transient-Enhanced Low-Quiescent Current Low-Dropout Regulator With Buffer Impedance Attenuation，我看看能不能做出来。

1A_Transient-Enhanced_Low-Quiescent_Current_Low-D.pdf (1.44 MB, 下载次数: 104 )

xublack · 发表于 2024-3-20 08:56:22

DramaFun 发表于 2024-3-19 18:57
好的，我没有考虑过功率管的问题。加大输出电容确实可以缓解瞬态响应，但是发现输出电压在大电流情况下有 ...

还是很好奇你这个LDO的负载电容要求是多少，上面这篇文章负载电容为uF级别，按照它的结构去做100mA级别的LDO是没有问题的，仿真STB的PM足够，但是得注意GM够不够。而且这个电路之前试过，可能是我没调好，在小电流时候会振荡，但是这时候PM和GM都是足够的，你后续仿真可以注意一下。

i0977454522 · 发表于 2024-7-12 18:51:27

thansk

stv667 · 发表于 4 小时前

xublack 发表于 2024-3-18 09:46
2）PMOS作为功率管，LDO输出如果不加足够大的电容的话，瞬态响应不会很好，建议改成NMOS管作为功率管
3）NM ...

大佬，请教一下，有哪些文章会讲NMOS和PMOS做调整管的区别？谢谢指导！

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