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楼主: DramaFun

[求助] LDO电路如何改善负载电流变化引起的电压变化

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发表于 2024-3-18 19:13:13 | 显示全部楼层


DramaFun 发表于 2024-3-18 18:27
好的,谢谢建议!


Bilibili有个视频做了个初版的FVF LDO 你可以搜一搜 FVF LDO
发表于 2024-3-19 09:27:45 | 显示全部楼层
一定要学会分析。这个很重要。
1。没有外部电容的时候,你的主极点在op的输出。op的输出节点是个高阻大电容的节点,意味着电压变化较慢,你负载跳变后,功率输出级mos的 gate电压还停留在原来的电压,没有及时响应。那你就得增大带宽了。用FVF可以降低输出电阻,可以试试看。
2。有外部电容,主极点在输出电容那里,你的次极点在重载时,跟主极点太近就会振荡。那就得补偿次极点,或者将次极点推远。都建议做个环路推导,分析完了再去仿真。
 楼主| 发表于 2024-3-19 18:57:57 | 显示全部楼层


xublack 发表于 2024-3-18 09:46
2)PMOS作为功率管,LDO输出如果不加足够大的电容的话,瞬态响应不会很好,建议改成NMOS管作为功率管
3)NM ...


好的,我没有考虑过功率管的问题。加大输出电容确实可以缓解瞬态响应,但是发现输出电压在大电流情况下有微小的振荡。我想改成添加辅助电路的结构。有人给我一篇论文A Transient-Enhanced Low-Quiescent Current Low-Dropout Regulator With Buffer Impedance Attenuation,我看看能不能做出来。 1A_Transient-Enhanced_Low-Quiescent_Current_Low-D.pdf (1.44 MB, 下载次数: 7 )



发表于 2024-3-20 08:56:22 | 显示全部楼层


DramaFun 发表于 2024-3-19 18:57
好的,我没有考虑过功率管的问题。加大输出电容确实可以缓解瞬态响应,但是发现输出电压在大电流情况下有 ...


还是很好奇你这个LDO的负载电容要求是多少,上面这篇文章负载电容为uF级别,按照它的结构去做100mA级别的LDO是没有问题的,仿真STB的PM足够,但是得注意GM够不够。而且这个电路之前试过,可能是我没调好,在小电流时候会振荡,但是这时候PM和GM都是足够的,你后续仿真可以注意一下。
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