关于clasAB outstage 的偏置与共模反馈

净月

大家好，如下图文章中的DDR结构，在进行此电路设计时，最初想按照传统classAB的方式去确定红圈中的MOS尺寸，
即VGS_BIASPN1+VGS_BIASPN2=VGS_currentmirror+VGS_redmark

然后预期尝试标记管和对应相同偏置的NMOS/PMOS的比例关系，调整使得输出MOS dc态正常。
但CMFB使得左右两边有一个电流互相拉扯？？的关系，这个确定思路似乎走不通。
请问各位有什么想法或者类似的经验吗？该论文和相关ref/cite都没有具体讨论。
谢谢，祝好。