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楼主: 林静树

异常的电源电流

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 楼主| 发表于 2024-3-15 13:32:05 | 显示全部楼层


yangleiqiang 发表于 2024-3-15 10:13
要不贴个原理图吧,试图分析一下


不好贴图,解决了的话和你分享
发表于 2024-3-19 16:24:24 | 显示全部楼层


林静树 发表于 2024-3-15 13:32
不好贴图,解决了的话和你分享


找到問題了嗎?若沒可以給個方向
看起來是實測導致電壓變大
1.postsim模擬是否有辦法覆現,若可嘗試看看
2.晶片是否有辦法先關閉下,然後提供電源電壓至5v觀察他的變化是否還存在..
a.若還在比較偏向元件耐壓問題導致
b.若不在就有機會是Latchup問題
 楼主| 发表于 2024-3-20 16:46:17 | 显示全部楼层


deantseng 发表于 2024-3-19 16:24
找到問題了嗎?若沒可以給個方向
看起來是實測導致電壓變大
1.postsim模擬是否有辦法覆現,若可嘗試看看


还没找到,闩锁效应应该可以排除,5V供电电源电流达到30多毫安功能正常,然后降到3V电源电流在正常范围,功能也正常。
 楼主| 发表于 2024-3-20 16:48:45 | 显示全部楼层


deantseng 发表于 2024-3-19 16:24
找到問題了嗎?若沒可以給個方向
看起來是實測導致電壓變大
1.postsim模擬是否有辦法覆現,若可嘗試看看


是封装好以后测得
发表于 2024-3-21 10:03:44 | 显示全部楼层
你在查查看...
1.你電路設計都是用5v元件嗎?
2.可以看一下5v時候你的設計偏壓疑似有不合理的地方
 楼主| 发表于 2024-3-21 10:51:42 | 显示全部楼层


deantseng 发表于 2024-3-21 10:03
你在查查看...
1.你電路設計都是用5v元件嗎?
2.可以看一下5v時候你的設計偏壓疑似有不合理的地方 ...


用的韩国东部的工艺全是5V器件,mos管用到了中阈值管子,电容用的mim电容,电阻由Ndifff电阻,这个ESD会不会有问题呢
微信图片_20240321104642.jpg
发表于 2024-3-21 13:52:05 | 显示全部楼层
這張圖看起來不太像是vdd漏電的主因,sorry你在找找嚕
 楼主| 发表于 2024-3-21 13:55:50 | 显示全部楼层


deantseng 发表于 2024-3-21 13:52
這張圖看起來不太像是vdd漏電的主因,sorry你在找找嚕


是的 ,现在就是不知道如何确定哪里出问题了
 楼主| 发表于 2024-3-21 17:13:31 | 显示全部楼层


deantseng 发表于 2024-3-21 13:52
這張圖看起來不太像是vdd漏電的主因,sorry你在找找嚕


性能参数测出来失调电压在200uV,电源抑制比在80-90dB,仿真的指标是5uV,电源抑制比在120dB
 楼主| 发表于 2024-3-27 20:27:22 | 显示全部楼层
大佬们帮帮忙啊,别沉呀!
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