Vcm-based开关切换策略中的单刀三掷开关如何实现？

Franklin_tf

小弟最近在学习SAR ADC的知识，仿照CCLIU的PHD论文搭建了单调开关切换策略的电路，然后发现比较器在共模输入过低的时候会出错，遂想要改变开关方案，换成Vcm-based开关切换策略，奈何才疏学浅，不会实现该策略中的单刀三掷开关，于是来这里向大佬们求助！！！！

希望大佬能够给出一些启发，类似于CCLIU论文中的这张图一样。

西南蛋王

我是利用低电平复位的D触发器，复位信号和时钟接CLKi，D端就是控制开关切换的VREF/GND，CLKi反相后控制接VCM

Franklin_tf

求求大佬帮忙解答

qgbfhl

蹲蹲蹲

gtfei

我没做过具体的电路，但是有个小思路，希望能提供一点有用的信息。
vcm-based default状态下所有电容下极板接vcm，而比较器在clkc上升沿完成比较后，上极板只有两个选项VREF和VSS。
1、完成比较后的电容上极板状态切换你可以直接使用附图中单调开关时序的电路
2、VCM这组的并列开关，你可以使用clkc下降沿触发设计一组时序，等每一位比较器完成比较后，将对应位电容接VCM的通路给关掉

Franklin_tf

gtfei 发表于 2024-3-6 15:53
我没做过具体的电路，但是有个小思路，希望能提供一点有用的信息。
vcm-based default状态下所有电容下极板 ...

感谢您的回复，我大概明白了您的意思，也就是说我需要在CLKi上升沿驱动电容下级板（与比较器相连的为上级板）状态切换前，先将下级板与Vcm断开即可（猜想可以用一个p管做开关，仍用CLKi控制），理论上来讲是可以实现的。

同时，对于该种方法，我有一点疑问
Vcm一般为1/2Vref，如果采用我所说的单管作为开关，那么会不会存在源极和漏极反转造成漏电

Franklin_tf

Franklin_tf 发表于 2024-3-6 16:29
感谢您的回复，我大概明白了您的意思，也就是说我需要在CLKi上升沿驱动电容下级板（与比较器相连的为上级 ...

还有一个问题，如果仍然按照附图中所示的下级板切换的话，在CLKi到来之前，下级板应该是一直接Vref的，所以还需要进一步的调整

gtfei

Franklin_tf 发表于 2024-3-6 16:29
感谢您的回复，我大概明白了您的意思，也就是说我需要在CLKi上升沿驱动电容下级板（与比较器相连的为上级 ...

对于你假设的单pmos开关，关断时gate为电源电压，源漏电压不管反不反转，都不会比的gate电压更高吧？所以单pmos开关是没法被打开的，就不会有漏电情况发生。

Franklin_tf

gtfei 发表于 2024-3-6 16:39
对于你假设的单pmos开关，关断时gate为电源电压，源漏电压不管反不反转，都不会比的gate电压更高吧？所以 ...

是的，应该是不会发生漏电的

Franklin_tf

我试着搭了一个控制开关，不知道对不对，请大家指正