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查看: 1262|回复: 6

[求助] por低温下重复复位

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发表于 2024-2-23 17:52:49 | 显示全部楼层 |阅读模式
100资产
最近仿真一个por电路,在低温下频繁的重复复位,但我仿低温下的电路por又是正常的,有谁知道能从哪方面去检查吗?或者可能是什么地方出问题,感谢感谢!!!

发表于 2024-2-23 18:24:21 | 显示全部楼层
你试试MOS管和电阻电容用不同的corner
再试试montecalo
也许就能发现问题
发表于 2024-2-23 20:24:45 | 显示全部楼层
在低温下频繁重复复位的问题可能是由多种因素引起的。以下是一些你可以检查的可能原因:

1. 电源电压:低温下,电源电压可能会变得不稳定或出现波动。请确保在低温条件下提供足够稳定和适当的电源供应。

2. 温度依赖特性:有些器件或元件在低温下可能会出现不同的行为。例如,晶体管的阈值电压、晶体管饱和电流等都可能受到温度影响。请确保你的设计对这些变化进行了适当考虑。

3. 时钟和时序:频繁重复复位可能与时钟或时序相关。检查是否存在滞后、抖动、噪声等问题,以及与复位信号相关的时序约束是否满足。

4. 外部环境干扰:外部环境中可能存在一些干扰源,如EMI(电磁干扰)或ESD(静电放电)。这些干扰可能会导致系统中断。

5. 引脚连接和接触问题:检查芯片引脚连接是否良好,以及与芯片相连的外部器件(如复位按钮)是否正常工作。

6. 仿真模型准确性:如果你使用了仿真模型来进行仿真,在评估结果之前,请确保所使用模型能够准确地描述设备行为,并且与实际硬件相匹配。

7. 设计错误或故障条件:最后,请仔细检查你的设计以确定是否存在任何设计错误或故障条件,特别是在处理复位信号方面。

综上所述,请从以上几个方面逐一排查,并参考技术文档、设备规格说明书等资源以获取更多细节信息。
发表于 2024-2-26 09:26:26 | 显示全部楼层
应该做迟滞的
发表于 2024-3-19 13:56:37 | 显示全部楼层
我碰到的是高温复位,且比设计值触发电压更高,有做迟滞。初步分析是芯片复位时电流很大,IR drop导致电压低,设计por阈值需要留够裕度。
发表于 2024-5-24 16:03:53 | 显示全部楼层


xuanzhiyilian 发表于 2024-2-23 20:24
在低温下频繁重复复位的问题可能是由多种因素引起的。以下是一些你可以检查的可能原因:

1. 电源电压:低 ...


gpt?
发表于 2024-6-11 14:51:23 | 显示全部楼层
我最近仿真por,在corner下都ok,在MC仿真时,上电慢,低电压下,por会起不来,其他转态还是起的来,你可以试试MC
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