半导体工艺问题

layout.35 · 发表于 2024-2-23 15:16:39

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在半导体工艺流程中制作PW时，非PW区域保留光刻胶，

制作AA时.AA区域保留光刻胶，
是因为什么，小白一枚

newicing · 发表于 2024-2-23 16:21:47

本帖最后由 newicing 于 2024-2-23 16:25 编辑

1，非PW区域保留光刻胶：因为PW是通过离子注入形成的，PW的区域不能有光刻胶，这样子才能注入到衬底形成PW;
2, 制作AA时.AA区域保留光刻胶: 你说的这个是在没有光刻胶的区域形成场氧区（隔离），这样子剩下的区域才能是有源区（用于形成器件）吧

layout.35 · 发表于 2024-2-23 17:13:43

newicing 发表于 2024-2-23 16:21
1，非PW区域保留光刻胶：因为PW是通过离子注入形成的，PW的区域不能有光刻胶，这样子才能注入到衬底形成PW ...

好的，谢谢，PW光刻处理是通过微影技术将PW掩模版的图形转到晶圆上，形成PW的光刻胶图案，非PW区域保留光刻胶
AA光刻处理是通过微影技术将AA掩模版的图形转到晶圆上，形成AA的光刻胶图案，AA区域保留光刻胶
我的理解可能就是后续还会有N+ ,P+离子的注入.形成P+AA ,N+AA,它的制作为什么不和PW类似，对工艺还不是很熟悉

xingxing58 · 发表于 2024-2-23 17:28:00

正胶和负胶的区别

newicing · 发表于 2024-2-24 14:11:41

layout.35 发表于 2024-2-23 17:13
好的，谢谢，PW光刻处理是通过微影技术将PW掩模版的图形转到晶圆上，形成PW的光刻胶图案，非PW区域保留 ...

你论坛搜下温德通的那本书，流程讲得很细致

[原创] 半导体工艺问题

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