关于LVTSCR用于输出端口的ESD保护

Wzx_imos · 发表于 2024-2-20 14:42:13

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我看到了论文中有写道：对于输出ESD保护，建议在LVTSCR和输出缓冲器之间增加一个小的串联电阻，否则LVTSCR不能有效地保护输出缓冲器。

论文中没有说明为什么对于输出ESD保护，建议在LVTSCR和输出缓冲器之间增加一个小的串联电阻。所以来问一下有没有大佬指点一下。

李幕白 · 发表于 2024-2-20 14:47:54

咨询了GPT，GPT说，这是为了限制电流的瞬时变化率。这样做有几个可能的原因。1，ESD事件的快速变化。2，保护LVTSTR。3，电压波动控制。串联电阻起保护作用。

fei_SH · 发表于 2024-2-21 10:30:32

李幕白发表于 2024-2-20 14:47
咨询了GPT，GPT说，这是为了限制电流的瞬时变化率。这样做有几个可能的原因。1，ESD事件的快速变化。2，保 ...

ESD模型还有待加强训练，这些答案每一个靠谱的啊

个人觉得应该是输出器的开启电压太低，需要串联电阻提高电压让LVTSCR开启。通常来说LVTSCR的Vt1还是远远高于输出管的。

李幕白 · 发表于 2024-2-21 13:31:58

fei_SH 发表于 2024-2-21 10:30
ESD模型还有待加强训练，这些答案每一个靠谱的啊

个人觉得应该是输出器的开启电压太低，需要串联电阻 ...

确实哈哈哈，看到问题就盲搜一下，感谢指正。

Wzx_imos · 发表于 2024-2-24 11:56:00

fei_SH 发表于 2024-2-21 10:30
ESD模型还有待加强训练，这些答案每一个靠谱的啊

个人觉得应该是输出器的开启电压太低，需要串联电阻 ...

你的意思是输出缓存器（也就是那个输出端口的反相器用来提高驱动能力的）与LVTSCR形成了一个二级防护吗，然后在这个二级防护之间需要加一个电阻，以形成有效的二级防护吗？如下述两图所示

[求助] 关于LVTSCR用于输出端口的ESD保护