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[求助] 从工艺上看,高压管子和低压管子有什么区别

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发表于 2024-2-7 10:31:55 | 显示全部楼层 |阅读模式

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从工艺上看,高压管子和低压管子的区别是什么,最近遇到5v的pdio和5v的pmos 因为pmos多了一层高压nwell,而pdio因为没有这层,导致pdio的nwell和pmos的nwell有一个非常大的space  这些器件衬底电位都一样了,为什么还要隔得那么远呢?会不会是因为pdio是fab早年比较成熟的管子,所以他们不愿意再做尝试了,还是说在工艺上实现比较困难。希望大佬能指点一下
发表于 2024-2-7 13:36:03 | 显示全部楼层
以P-SUB 看N-well 上長P+Drain and Source , N-well 對Drain ,Source要有足夠的Space不然會漏電.而Pdio只有P-/N+Diode結構
发表于 2024-2-20 09:58:20 | 显示全部楼层


ykk1128 发表于 2024-2-7 13:36
以P-SUB 看N-well 上長P+Drain and Source , N-well 對Drain ,Source要有足夠的Space不然會漏電.而Pdio只有 ...


可以详细说说吗?有点迷糊,感谢分享
发表于 2024-6-14 11:21:00 | 显示全部楼层
漏区有轻掺杂的漂移区,大的vds通过漂移区去耐压
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