在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 858|回复: 5

[求助] 为什么数模接口处的inv前面要加esd器件?

[复制链接]
发表于 2024-2-6 10:08:09 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
一般是在gate加上一个,有的叫antenna器件。没太明白跨不同地的时候会有什么esd风险?还是天线效应的风险?求解惑,谢谢大家
发表于 2024-2-6 10:36:47 | 显示全部楼层
见过加的,电阻和ggnmos, 也见过没加的。但跨domain一定要做level shift. 就算电压相同。
发表于 2024-2-6 11:13:33 | 显示全部楼层
CDM风险
发表于 2024-2-7 15:45:27 | 显示全部楼层
ESD有器件充放电要求以及模型,建议看看ESD的几大分类
发表于 2024-2-7 16:01:30 | 显示全部楼层
antenna器件
=> antenna effect , process m1 -> charge cause damage .. need diode


long channel like driver IC , meed CDM_esd cell pulg in digital --> analog interface
  digital to analog  maybe  > 3000um length  .. need CDM cell .





发表于 2024-2-14 22:13:41 | 显示全部楼层
同意CDM。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-25 12:09 , Processed in 0.016486 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表