一个mim电容做metal change，改哪一层的影响最小

tea_whz

   

icliupengzhi123 发表于 2024-2-5 10:55
结构是这样的，黄色部分是MCT，您的建议是去掉MCT这层mask么，去掉孔你感觉可以不
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你修改的目的是什么呢？如果是不要这个电容，直接把上层金属断开不就可以了么？直接去掉MCT肯定是不行的，会短路。

icliupengzhi123

   

tea_whz 发表于 2024-2-5 13:13
你修改的目的是什么呢？如果是不要这个电容，直接把上层金属断开不就可以了么？直接去掉MCT肯定是不行的 ...

2个mim电容挨着放得很近，以前因为两个电容接法一样，顶层和次顶层都全覆盖，就没有DRC问题，现在其中有个MIM电容需要短起来，或者不要。需要通过改一张mask然后实现目的。断顶层实现不了，顶层没有DRC问，但是走线要绕，带来的寄生电路是不想要的。断次顶层，又会有DRC问题。

icliupengzhi123

   

ZN0001 发表于 2024-2-5 11:56
把他断开不接不行嘛

断顶层不行，走线绕线，寄生电路接受不了。断底层也不行，有DRC问题。

tea_whz

   

icliupengzhi123 发表于 2024-2-5 13:22
2个mim电容挨着放得很近，以前因为两个电容接法一样，顶层和次顶层都全覆盖，就没有DRC问题，现在其中有 ...

大概明白你的处境了。。。。去掉不想要的电容上接到MCT的via吧，上下两层金属之间一个浮空的金属层，会留有一些寄生电容，问题不大。也会因为收集电荷没有释放通路带来一点可靠性的问题，但是问题不大，而且毕竟可以解决你的问题了。但是这样做估计也会有DRC问题，需要你们自己跟foundry沟通了。

icliupengzhi123

   

tea_whz 发表于 2024-2-5 13:31
大概明白你的处境了。。。。去掉不想要的电容上接到MCT的via吧，上下两层金属之间一个浮空的金属层，会留 ...

去掉via后，没有DRC问题，就是这种改法非常规，也没遇到过，就是担心浮空的那个MCT积累电荷啥的，也不知道有没有啥不可预知的一些现象。等老大决定吧。。