为什么高压器件和常规器件要拉开几十微米的间距？

我giao过洋 · 发表于 2024-2-2 01:23:54

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不知道这个原因是为什么？有人帮忙解答一下吗？

maomao198477 · 发表于 2024-2-2 08:51:06

冬天烤火的时候如果火很大你你屁股坐的板凳是不是要挪远点

ZN0001 · 发表于 2024-2-2 09:01:26

maomao198477 发表于 2024-2-2 08:51
冬天烤火的时候如果火很大你你屁股坐的板凳是不是要挪远点

哇，这个形象

이지은 · 发表于 2024-2-2 09:02:58

latch

esbwong · 发表于 2024-2-2 10:14:19

LU leakage

李幕白 · 发表于 2024-2-2 11:07:09

高压器件的衬底肼等往往跟常规器件不一样，DRC中会约束不同的衬底肼的距离，隔离高低压需要有对应多子少子吸收保护隔离环但仅仅是保护环是不行的，拉开间距是个有效的方法，可以防止高压把低压器件的Gate端，源漏端击穿。损坏器件，导致chip失效。距离越近，击穿风险越大。所以，DRC要求的间距值可能是概率值，小到几乎不可能发生的值。

happy_star · 发表于 2024-2-2 11:52:33

你猜他为啥叫高压器件

xiaowei_qiu · 发表于 2024-4-2 17:50:54

没有做过高压管，请教一下是不是有相关的DRC rule

模拟后端的小白 · 发表于 2024-4-3 10:22:47

李幕白发表于 2024-2-2 11:07
高压器件的衬底肼等往往跟常规器件不一样，DRC中会约束不同的衬底肼的距离，隔离高低压需要有对应多子少子 ...

又一个疑问，他们又没有接一起，怎么可能导致击穿呢，是内部吗？我的理解应该高压管的内部高压端反型层会导致与临近的低压器件短路，还有就是高压部分与低压部分会产生电场影响低压器件的电路性能（阈值电压，二级效益这些），个人理解

99259 · 发表于 2024-4-3 10:49:22

模拟后端的小白发表于 2024-4-3 10:22
又一个疑问，他们又没有接一起，怎么可能导致击穿呢，是内部吗？我的理解应该高压管的内部高压端反型层会 ...

FET全称叫场效应晶体管，场效应命名由来就是非接触的

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