RC振荡器芯片测试异常问题分析

castrader

是的，10MHz振荡器，如果比较器延迟太大，而且你trim的step又太小的话，很可能由于比较器的延迟吃掉了你想要的trim结果。
还有，你只trim了电容充放电电流，没trim比较器电流吧？
NMOS trim电阻，NMOS的source如果不接地，那么由于衬偏效应，NMOS的导通电阻会比较大

Sarahlln

   

castrader 发表于 2024-1-26 17:08
是的，10MHz振荡器，如果比较器延迟太大，而且你trim的step又太小的话，很可能由于比较器的延迟吃掉了你想 ...

目前瞬态仿真里，这些参数应该都在考虑里了，芯片流片回来后实测值偏差到——R的支路里需要再串联200K左右的电阻（所有串联的开关导通电阻加起来3.6K左右）才能导致目前这种10M左右、且TRIM失效的输出。这种情况，有没有可能是PCB的设计问题呢？

瞬态仿真+DC仿真时，开关导通电阻400欧姆，比较器延迟10ns左右。

Sarahlln

   

nanke 发表于 2024-1-26 13:44
trim的也太少了吧，RC pvt变化都不止这点。

感谢，最近做另外的电路发现这个问题了，开关MOS的导通电阻变化太大了，尤其是电流小的时候