在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
12
返回列表 发新帖
楼主: Sarahlln

[求助] RC振荡器芯片测试异常问题分析

[复制链接]
发表于 2024-1-26 17:08:05 | 显示全部楼层
是的,10MHz振荡器,如果比较器延迟太大,而且你trim的step又太小的话,很可能由于比较器的延迟吃掉了你想要的trim结果。
还有,你只trim了电容充放电电流,没trim比较器电流吧?
NMOS trim电阻,NMOS的source如果不接地,那么由于衬偏效应,NMOS的导通电阻会比较大
 楼主| 发表于 2024-1-26 17:50:40 | 显示全部楼层


castrader 发表于 2024-1-26 17:08
是的,10MHz振荡器,如果比较器延迟太大,而且你trim的step又太小的话,很可能由于比较器的延迟吃掉了你想 ...


目前瞬态仿真里,这些参数应该都在考虑里了,芯片流片回来后实测值偏差到——R的支路里需要再串联200K左右的电阻(所有串联的开关导通电阻加起来3.6K左右)才能导致目前这种10M左右、且TRIM失效的输出。这种情况,有没有可能是PCB的设计问题呢?

瞬态仿真+DC仿真时,开关导通电阻400欧姆,比较器延迟10ns左右。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-5-22 03:36 , Processed in 0.014703 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表