关于mos器件和DRC检查的一些问题

龙学芯 · 发表于 2024-1-20 14:10:44

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最近遇到了几个小问题希望有路过的大佬能不吝赐教，帮忙解答一下

1.为什么MOS上的POLY要有伸出有源区的部分？
2.接触孔打在GT的中应该会让MOS开启的更好啊，为什么要打在一边呢？（之前也有听过在多少nm下是可以的）

3.为什么工业级的芯片一般不用Al走power？只是用来走一小部分的非主干power都不行？铝除了导电能力比铜差点,有电迁移外还有什么不好的地方吗？
4.为了防止线short，和规范版图，想抓出布线时的这种ine-end和金属线突出来一小块的情况，奈何才疏学浅实在想不到用什么关键词检查。

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