片外LDO与片内LDO的区别是什么

一叶方舟 · 发表于 2024-1-6 16:25:15

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一直对这个概念懵懵懂懂，片外LDO是指负载电容很大，通过外部接口接入的吗，这个电容容的大小有没有界限，多少算是大电容，希望能得到前辈们的解答

一叶方舟 · 发表于 2024-1-7 13:37:30

顶一顶

xdy609841687 · 发表于 2024-1-8 10:52:48

只要是外接负载电容的都是片外LDO呀，大小的界定取决于你用多少和村田这些电容器件供应厂做了哪些电容挡位，你可以去他们官网看看

zang0088 · 发表于 2024-1-8 15:19:10

视你的LDO架构所决定，如果你的LDO只有在输出挂一个大电容时才能稳定，那你的结构就只能外挂微法级别电容。如果你通过各种各样新奇创新的想法设计出了一种新结构，不需要外挂微法级别电容就能稳定，那么你就不需要外挂微法级别电容啊。

acging · 发表于 2024-1-8 16:52:40

芯片内部能实现的电容超过1nF就占用很大面积了，如果需要更大电容需要片外提供，代价是占用了一个pin脚。
片外电容一般是0.1uF至22uF这样的范围。

一叶方舟 · 发表于 2024-1-8 21:36:54

acging 发表于 2024-1-8 16:52
芯片内部能实现的电容超过1nF就占用很大面积了，如果需要更大电容需要片外提供，代价是占用了一个pin脚。
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