为什么温度越高，放大器增益越低？

MaievShadowSong · 发表于 2024-1-3 17:14:13

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小白想从微观粒子的热运动去解释这个现象，但我在百度和知网都没查到比较准确的答案。

BJT、MOSFET、HEMT、HBT的结论都一样吗？谢谢各位大佬！

Quinlan · 发表于 2024-1-3 17:22:31

个人认为温度越高，载流子的热运动加强，会导致迁移率降低。

yfchao2333 · 发表于 2024-1-3 19:03:11

从mosfet的角度说下我的理解。从平方律出发，运放的增益公式可以表达为：
Av=gm*ro
gm=Un*Cox*(W/L)*(Vgs-Vth),ro=Vearly*L/I
=>Av=Un*Cox*W*(Vgs-Vth)*Vearly/I
其中Un、Vth、Vearly都是负温度特性，所以温度上升，Un、Vearly减少，(Vgs-Vth)增加
其中Un、Vearly减少的程度大于(Vgs-Vth)增加的程度，所以Av减小。仿真可以验证。

MaievShadowSong · 发表于 2024-1-4 08:50:42

yfchao2333 发表于 2024-1-3 19:03
从mosfet的角度说下我的理解。从平方律出发，运放的增益公式可以表达为：
Av=gm*ro
gm=Un*Cox*(W/L)*(Vgs-V ...

谢谢，仿真验证是个好思路，我回头也用别的工艺试试看

piao · 发表于 2024-1-21 22:43:35

Thanks for sharing

binnq · 发表于 2024-1-31 09:42:29

学习下，谢谢

[原创] 为什么温度越高，放大器增益越低？

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