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查看: 1229|回复: 6

[原创] 为什么温度越高,放大器增益越低?

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发表于 2024-1-3 17:14:13 | 显示全部楼层 |阅读模式

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小白想从微观粒子的热运动去解释这个现象,但我在百度和知网都没查到比较准确的答案。


      BJT、MOSFET、HEMT、HBT的结论都一样吗?谢谢各位大佬!

发表于 2024-1-3 17:22:31 | 显示全部楼层
个人认为 温度越高,载流子的热运动加强,会导致迁移率降低。
发表于 2024-1-3 19:03:11 | 显示全部楼层
从mosfet的角度说下我的理解。从平方律出发,运放的增益公式可以表达为:
Av=gm*ro
gm=Un*Cox*(W/L)*(Vgs-Vth),ro=Vearly*L/I
=>Av=Un*Cox*W*(Vgs-Vth)*Vearly/I
其中Un、Vth、Vearly都是负温度特性,所以温度上升,Un、Vearly减少,(Vgs-Vth)增加
其中Un、Vearly减少的程度大于(Vgs-Vth)增加的程度,所以Av减小。仿真可以验证。


111.png
 楼主| 发表于 2024-1-4 08:50:42 | 显示全部楼层


yfchao2333 发表于 2024-1-3 19:03
从mosfet的角度说下我的理解。从平方律出发,运放的增益公式可以表达为:
Av=gm*ro
gm=Un*Cox*(W/L)*(Vgs-V ...


谢谢,仿真验证是个好思路,我回头也用别的工艺试试看
发表于 2024-1-21 22:43:35 | 显示全部楼层
Thanks for sharing
发表于 2024-1-31 09:42:29 | 显示全部楼层
学习下,谢谢
发表于 2024-10-1 14:11:52 | 显示全部楼层
kan kan
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