BCD工艺的HVNW带NBL和不带NBL对latch up的影响

Ethancf · 发表于 2024-1-3 17:00:02

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最近在用tsmc .18 BCD工艺，发现当两个HVNW连到不同pad时，如果两个HVNW都不在NBL内，则DRC对两个HVNW距离的要求比较低，而如果其中一个在NBL内则要求两个HVNW的距离要求就很高，想请问一下从原理上要如何理解这样的DRC，为什么在NBL内的HVNW会更加危险，因为从剖面图上看这两者的深度是差不多的？

kwankwaner · 发表于 2024-1-3 23:26:20

耐压的区别吧

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