Bandgap启动电路过程问题

小磊IC

大家好，我再看Bandgap启动过程，有些事情没太明白，图片是启动电路部分，通过仿真我发现，在EN未使能时，蓝色框内的BIAS电压一直保持900mV左右，然后红色框内电压为BP1电源电压，当EN使能开始，BP1电压开始逐渐减低，并且黄色支路会有大电流给与BJT基极，过一阵后，BIAS电压又会重新被拉高。


请问为什么BP1电压会逐渐降低呢，BIAS电压的变化是为什么？

lihaiqi208

   

lihaiqi208 发表于 2023-12-26 22:58
我猜你图里的trim应该和VBN是连在一起的吧，如果是这样，刚开始电流为0，BP1=VCC，VBN=VSS，四个串联的NMO ...

打错了，上面更正四个串联NMOS管将BIAS拉低。
四个管子支路：EN启动后，最下面管子NM3打开，四个管子的D/S相当于接地电阻，具有下拉能力，而此时PM14还是关闭的，所以会将BIAS拉低。

lihaiqi208

BP1除了展示部分还有其他连接吗？

小磊IC

   

lihaiqi208 发表于 2023-12-24 21:48
BP1除了展示部分还有其他连接吗？

黄色高亮线

慵懒的猫咪

你图截得不全很难给你分析啊

lihaiqi208

   

小磊IC 发表于 2023-12-25 16:51
黄色高亮线

电路还是很残缺，你需要研究BP1是不是被下面三极管拉低

小磊IC

   

lihaiqi208 发表于 2023-12-25 21:27
电路还是很残缺，你需要研究BP1是不是被下面三极管拉低

这次呢？

小磊IC

   

慵懒的猫咪 发表于 2023-12-25 17:06
你图截得不全很难给你分析啊

这次截全了，不好意思

lihaiqi208

   

小磊IC 发表于 2023-12-26 17:58
这次呢？

我猜你图里的trim应该和VBN是连在一起的吧，如果是这样，刚开始电流为0，BP1=VCC，VBN=VSS，四个串联的NMOS管降VPB拉低，将PM5打开，将VBN拉高，三极管Q1Q0就有了电流，Q0电流随后将BP1拉低，开始启动