poly图像如下，gata完全没有连接关系。这种浮栅是怎么工作的？

cwq

以前见到的gate还会通过电容接出去，来写入或者擦除。这种完全没有连接关系就不太理解了

haichao89

flash存储器?

sprlove

了解一下MTP，最后标注以下尺寸，更容易判断；

fallangel

EEPROM？

里里

浮栅是一种存在于非易失性存储器器件中的结构，例如闪存和EEPROM。浮栅的主要作用是存储电荷，这样可以表示二进制数据的状态。以下是浮栅是如何工作的简要说明：

• 1、浮栅结构： 浮栅是一个被绝缘材料（通常是氧化物）隔离的导电区域，它位于晶体管结构中。晶体管通常由源、漏、栅极和浮栅组成。
• 2、存储数据： 浮栅的主要作用是存储电荷，这是通过在浮栅中注入或去除电子来实现的。注入电子会使浮栅带负电荷，而去除电子则会使浮栅带正电荷。这种电荷的存在或不存在表示了存储单元的两种状态，通常用于表示二进制的0和1。
• 3、控制门： 在晶体管结构中，浮栅与栅极之间有一个控制门。当电压被应用到控制门上时，它会影响浮栅中的电子的流动。通过调整控制门的电压，可以控制电子是否被注入或去除，从而改变浮栅的电荷状态。
• 4、非易失性： 浮栅中的电荷是非易失性的，这意味着即使断电，存储的信息也不会丢失。这使得浮栅非常适用于存储设备，如闪存，因为它允许长期保存数据而无需持续的电源供应。
  
  

总的来说，浮栅通过在其中存储电荷来表示数据，而控制门的电压则用于管理电荷的状态，从而实现非易失性存储器中的数据存储。

refugee

写入数据时使用热载流子注入效应，擦除数据时利用FN-Tunnling。都是利用强电场把电子注入到floating gate中或者从floating gate中移除。floating gate是用来存储电荷的，是需要绝缘的

cwq

   

refugee 发表于 2023-12-23 09:37
写入数据时使用热载流子注入效应，擦除数据时利用FN-Tunnling。都是利用强电场把电子注入到floating gate中 ...

这个强电场是芯片外部加？芯片内没有连接关系啊

refugee

   

cwq 发表于 2023-12-25 10:06
这个强电场是芯片外部加？芯片内没有连接关系啊

通过source drain和body之间的电场来实现，网上很多paper的，建议直接看paper，都是很基础的东西