高压管n阱与sub p阱为什么不能接触

XXHHJJ

이지은 发表于 2023-12-19 17:04
别误导人家。。。nwell也是在p+sub上做的

pw和psub是一个东西？

이지은

XXHHJJ 发表于 2023-12-19 17:33
pw和psub是一个东西？

您看得懂吗，我说的是整个区域都是在p+sub上，nwell是在p+sub上做的，pwell也是在p+sub上做的，针对不同工艺，有的pwell浓度是直接和p+sub公用p，而还有工艺是需要单独做Pwell这个井的，是需要自己画pwell的，您懂吗？所以说您不要以偏概全，直接来个定论，除了nwell就是pwell。

XXHHJJ

이지은 发表于 2023-12-20 09:19
您看得懂吗，我说的是整个区域都是在p+sub上，nwell是在p+sub上做的，pwell也是在p+sub上做的，针对不同 ...

你说的我知道，现在主流工艺哪个不是只画NW，PW的MASK就是NW取反；还有如果没有DNW，PW的电位就是PSUB电位，就算有DNW那裸露出来的PSUB也是由DNW外的PW电位提供，不管浓度差别。别说懂不懂的恶心人

이지은

p+sub底和mos的sub端不是一个东西，还PW就是psub电位，pwell那是mos的body/sub端电位，我们是在整个p+sub上EPI里挖nw和pw，PW和P+sub一个电位，那就离谱了，我去做nmos的b接s那等于白做，反正b都是和p+sub一个电位的么，反正nmos的pwell就是和p+sub接一起么，所有nmos全接地嘛，多简单。。。。

XXHHJJ

이지은 发表于 2023-12-20 09:56
p+sub底和mos的sub端不是一个东西，还PW就是psub电位，pwell那是mos的body/sub端电位，我们是在整个p+sub上 ...

PSUB是基底我不知道？就问你没有dnw的情况，两块NMOS的衬底接不同电位你看能不能过LVS，给不给你报软连？？

이지은

XXHHJJ 发表于 2023-12-20 10:11
PSUB是基底我不知道？就问你没有dnw的情况，两块NMOS的衬底接不同电位你看能不能过LVS，给不给你报软连？ ...

你是真犟啊，自己没见过，就认为自己认为的，学学电路，多看看书，衬底电位不一定是接地，我需要特殊工作区，Vgs-Vth无法满足，我就需要从Vb下手，抬高或拉负值。

이지은

XXHHJJ 发表于 2023-12-20 10:11
PSUB是基底我不知道？就问你没有dnw的情况，两块NMOS的衬底接不同电位你看能不能过LVS，给不给你报软连？ ...

而且，开始就不是说这个点，说的是给结论说严谨点，当然你说的DNW是没问题，部分的well（P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起，需要DNW隔离噪声，同样也是只针对部分工艺，不巧的就是我刚好在做需要PWmask的工艺，底下的小朋友就拿着你的这个结论不明白。

XXHHJJ

이지은 发表于 2023-12-20 11:59
而且，开始就不是说这个点，说的是给结论说严谨点，当然你说的DNW是没问题，部分的well（P-sub）会通过wa ...

啊？自衬的管子我没见过？不用DNW隔开？你说的PW MASK工艺不是特殊工艺？我后面说的是常规主流工艺好吗 不跟你扯咯