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[求助] tsmc180nm提取MIM电容寄生参数,XACT和XRC提取结果差别很大?

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发表于 2023-12-15 11:17:40 | 显示全部楼层 |阅读模式

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小弟最近在使用tsmc180nm的MIM电容,对MIM电容进行PEX提取寄生参数。先调用一个库里10u×10u的MIM电容,模型自带电容206.3fF。版图里其他连线都不加,直接在上下极板打pin,提取上下极板的寄生电容
mim电容.JPG


选择XACT和XRC提取出来的上下极板之间的寄生差别很大,XACT提出来有20f,XRC提出来只有3f,
mim电容PEX.JPG
按我的理解XACT应该是更高精度的提取,可是上下极板之间的寄生会有20fF,感觉有点儿大,XACT和XRC哪个才更接近实际情况呢?谢谢大家~

发表于 2023-12-15 13:17:39 | 显示全部楼层
蹲一个大佬回复
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发表于 2023-12-15 13:17:59 | 显示全部楼层
我的建议是使用XRC的结果,毕竟XRC Runset开发和release基于的是silicon data,XACT是基于drawn layout和3D物理结构的,尺寸和dielectric constant和实际是有差异的
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 楼主| 发表于 2023-12-15 14:14:33 | 显示全部楼层


   
lhgsgtc 发表于 2023-12-15 13:17
我的建议是使用XRC的结果,毕竟XRC Runset开发和release基于的是silicon data,XACT是基于drawn layout和3D ...


哇,感谢您的回复!那按您的意思XACT其实并不准确吗?还是说只是在提MIM的寄生参数时候XACT不准?在其他时候XACT也不如XRC吗?
您说"XRC基于silicon data"而“XACT基于drawn layout和3D物理结构”,silicon data是指什么呢?小弟从字面上理解XACT看起来更高级,为什么它的尺寸和dielectric constant与实际有差异呢?
谢谢您~
(小弟对这方面不太懂,大佬别介意~)


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发表于 2023-12-15 14:37:30 | 显示全部楼层
把device打散 去掉mim识别层, 再进行对比
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 楼主| 发表于 2023-12-15 18:06:53 | 显示全部楼层


   
omityoung 发表于 2023-12-15 14:37
把device打散 去掉mim识别层, 再进行对比


您好,我试了,去掉MIM识别层,提取结果几乎不变~,您有什么建议吗,谢谢您

                               
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发表于 2023-12-15 20:48:01 | 显示全部楼层
差这么多应该信模型了
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发表于 2023-12-17 12:52:08 来自手机 | 显示全部楼层
楼主大哥 我想要t18的手册学习 请问您联系方式是多少?
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 楼主| 发表于 2023-12-17 13:25:04 | 显示全部楼层


   
YyuanRTs 发表于 2023-12-15 20:48
差这么多应该信模型了


您好,请问您说的信模型是指什么模型~
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发表于 2023-12-18 10:58:58 | 显示全部楼层


   
晬婴 发表于 2023-12-17 13:25
您好,请问您说的信模型是指什么模型~


直接调出来显示的数值
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