工艺库仿真蒙特卡洛，与实际流片的结果比较谈论。欢迎有经验的大佬讨论

gala8

对于蒙特卡洛分析，相信大家都了解了，经常会做失调分析。对于蒙特卡洛的操作和解释论坛里面搜一下也都分享。



今天我想问一下，关于蒙特卡洛仿真的准确问题。我没有流过片不清楚，是否流片前，都必须做一下蒙特卡洛，这样做的结果是否能包含实际生产所有的可能性（跑的越多越准）也就是说，对于那些1σ或者3σ之外的，实际流片出来很少会遇到？我们是否能够相信工艺厂家给出的mc模型，用它跑出的结果很自信的告诉自己，结论的好与坏。（smic0.18）
所以我目前的猜测是：就用工艺厂给的mc这一个模型，就够了，不需要再去选tt,ff,ss,sf,fs这五个（如果单跑这五个corner当然也可以，但是就不包含器件失配了）。然后在蒙特卡洛这个选择里面，勾上process and mismatch（分别对应global and local），跑200次（越多越好），那么得出的结果就已经包含了die-die ,lot-lot, wafer-wafer的各种情况对吗？实际上也不需要再去在ss或者ff再跑mc，已经过设计，实际很难出现了，是吗？这是我的理解。感谢看完

gala8

小弟没有流过片，完全不知道这么过程，希望大佬指教一下

Shiroihane

完全错误，mc并不能全部覆盖pvt，mc和pvt是部分重合的关系，且mc也无法完全反映实际情况，一般只有精度、offset、TC等指标才会去做mc，其他做下pvt就够了

demonhunter

我觉得你的理解是对的。我用DB的PDK跑过电阻，勾选process会得到相应的+-15%，+-20%偏差，去掉process数据就很好，仅匹配误差。但section多了以后，200可能不够，1000都勉强看到极端组合。corner是把极端组合在一起。

zwzdqhaust

MC主要是跑mismatch之类的，PVT是必须要跑的，不跑的话，在fullmask下良品率不够

gala8

Shiroihane 发表于 2023-12-14 14:45
完全错误，mc并不能全部覆盖pvt，mc和pvt是部分重合的关系，且mc也无法完全反映实际情况，一般只有精度、of ...

感谢指正，确实，如果其他的电路只做蒙特卡洛肯定就是没有温度的变化和电压的变化了。但是因为我做电压基准电路，本身就包括扫描温度了，然后V的话相当于我做电源线性调整，也可以增加vdd变量进行蒙特卡洛。实际上我确实是在输出电压精度和TC，我的想法是，如果我做的足够多的蒙特卡洛，是能够跑到我corner仿真中（ss,ff,tt,sf,fs）最worst的corner.我不理解的地方在于，实际流片出来，会比我仿真最差的corner还差吗

gala8

demonhunter 发表于 2023-12-14 15:43
我觉得你的理解是对的。我用DB的PDK跑过电阻，勾选process会得到相应的+-15%，+-20%偏差，去掉process数据 ...

那有可能是对了，我单独跑corner仿真，会出现最差情况(比如说snfp)。蒙特卡洛跑足够多，也只是会有很少点达到这个corner(snfp)，而不可能超过它。而且corner的话再加上VT其实也算是过设计了。那你们一般流片会出现你仿真过设计中的最差结果吗？

秃头ICdesigner

gala8 发表于 2023-12-14 16:53
那有可能是对了，我单独跑corner仿真，会出现最差情况(比如说snfp)。蒙特卡洛跑足够多，也只是会有很少点 ...

只跑PVT的话是不是会过设计太多 反而在018工艺出现芯片面积过大造成浪费，如果封测甚至中测能筛选出来的话，反而更能避免出这种成本差？