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[求助] 上华工艺三种iso NMOS的区别是什么

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发表于 2023-12-13 15:28:29 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本人在LDO设计中功率管NMOS的衬底不接地,因此想画一个带隔离的NMOS,在工艺库文件中有三种 isolated NMOS,请问各位大佬它们有什么区别呢?哪种更适合这种设计中使用

5V isolated NMOS_DP (mn5_ddpdnbn*v_ddnbnpsub*v_6t)

5V isolated NMOS_DP (mn5_ddpdnbn*v_ddnbnpsub*v_6t)

5V isolated NMOS_DN (mn5dn_dhpwhnwdn_dhnwdnpsub5v_6t)

5V isolated NMOS_DN (mn5dn_dhpwhnwdn_dhnwdnpsub5v_6t)

5V isolated NMOS_DN (mn5dn_ dhpwdnbn_ddnbnpsub*v_6t)

5V isolated NMOS_DN (mn5dn_ dhpwdnbn_ddnbnpsub*v_6t)
发表于 2023-12-13 15:44:27 | 显示全部楼层
功率管最好是选用带BN的,这样隔离的效果会好很多,所以,第二种排除,至于用1、3参数还是略微有查差别,可以参照 Design Rule,由电路确认。希望能帮到你。
 楼主| 发表于 2023-12-13 16:50:59 | 显示全部楼层


金刚10 发表于 2023-12-13 15:44
功率管最好是选用带BN的,这样隔离的效果会好很多,所以,第二种排除,至于用1、3参数还是略微有查差别,可 ...


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