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[求助] Smic 180 BCD工艺nde/pde管

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发表于 2023-12-8 21:28:33 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近在使用Smic 180BCD工艺,发现其高压管有两类,NLD类和NDE/PDE类高压管,其中nde/pde类高压管有些管子可以选择Source and body butted design(3T)或者Source and body non-butted design(4T),看描述是source和bulk是否接一起。想问下前辈们这种高压管内部设置成bulk和source接一起,和直接在电路层面将bulk和source接一起有什么区别嘛?是为了节省面积嘛?管子如下图所示:

                               
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然后这是参数选择:

                               
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发表于 2023-12-9 20:28:11 | 显示全部楼层
我感觉在电路上连接比较好,这样子可以方便看B S 的电路,更加直观
发表于 2023-12-11 15:08:20 | 显示全部楼层
连一起面积应该会小一点,看DM文档两种管子截面不一样
发表于 2023-12-11 15:08:37 | 显示全部楼层
如果在电路设计上,source and body need to connected, then use check "Source and Bulk AA tie Together" it can reduce the resistance between Source and Body.
 楼主| 发表于 2023-12-11 19:33:22 | 显示全部楼层


pengtx 发表于 2023-12-11 15:08
如果在电路设计上,source and body need to connected, then use check "Source and Bulk AA tie Together ...


好的,谢谢!想请问下这个有参考出处嘛?
发表于 2023-12-12 09:31:34 | 显示全部楼层


daxian 发表于 2023-12-11 15:08
连一起面积应该会小一点,看DM文档两种管子截面不一样


DM文件中好像没有这个内容吧,只有器件的介绍,请问是在Device characterization summary章节中吗
发表于 2023-12-14 09:40:09 | 显示全部楼层


newicing 发表于 2023-12-12 09:31
DM文件中好像没有这个内容吧,只有器件的介绍,请问是在Device characterization summary章节中吗
...


是的,就是3T和4T的区别。刨面图都有的
发表于 2023-12-14 15:06:01 | 显示全部楼层


daxian 发表于 2023-12-14 09:40
是的,就是3T和4T的区别。刨面图都有的


找到了,谢谢
发表于 2023-12-14 15:07:48 | 显示全部楼层


糖豆人DD 发表于 2023-12-11 19:33
好的,谢谢!想请问下这个有参考出处嘛?


你去SMIC的DM 文件里,找到高压管,回有3T 和4T的cross-section图,可以看到区别的
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