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查看: 1597|回复: 10

[求助] 用LDO作基准电流源

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发表于 2023-11-22 14:05:10 | 显示全部楼层 |阅读模式

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想请教一下大佬们,这种用LDO结构做的基准电流源有什么好处吗,感觉还会增加很多功耗。(精度会更高吗)
1700632836195.jpeg
发表于 2023-11-22 14:15:12 | 显示全部楼层
增加驱动能力吧,一般带隙的驱动能力不会很强,精度的话主要还是看运放和电流镜吧,只提供偏置电流应该问题不大,这个结构还是很常见的
发表于 2023-11-22 14:51:59 | 显示全部楼层
提高BG驱动能力,同时做基准电压源(例如某个模块需要0.5V的电压基准,从下面电阻串中间引一根线出去就是了)和基准电流源,另外还可以对电流做trim。  顺便问一下图片出处可以分享一下吗?
发表于 2023-11-22 15:03:57 | 显示全部楼层
Vin通常是bandgap输出,精度有保证,如果需要高精度的I,那么R还得外接1%
 楼主| 发表于 2023-11-22 15:15:06 | 显示全部楼层


youngabin 发表于 2023-11-22 14:15
增加驱动能力吧,一般带隙的驱动能力不会很强,精度的话主要还是看运放和电流镜吧,只提供偏置电流应该问题 ...


嗯嗯,这个结构还是比较常见的,就是在思考这种结构的好处。我在带隙的分析里,很少看到对带隙驱动能力分析的,能否详细讲一下您提到的驱动能力是什么意识呢?
 楼主| 发表于 2023-11-22 15:17:16 | 显示全部楼层


hzq710789790 发表于 2023-11-22 14:51
提高BG驱动能力,同时做基准电压源(例如某个模块需要0.5V的电压基准,从下面电阻串中间引一根线出去就是了 ...


https://zhuanlan.zhihu.com/p/541 ... 1710676706489122816是在这篇文章中看到的。想问一下您所提到的带隙的驱动能力是什么意思,因为我看的有关带隙的论文很少提到带隙的驱动能力,感谢大佬
 楼主| 发表于 2023-11-22 15:18:26 | 显示全部楼层


zhanweisu33 发表于 2023-11-22 15:03
Vin通常是bandgap输出,精度有保证,如果需要高精度的I,那么R还得外接1%


R外接1%是指要在片外加一部分电阻吗?
发表于 2023-11-22 15:21:12 | 显示全部楼层


evade 发表于 2023-11-22 15:18
R外接1%是指要在片外加一部分电阻吗?


1%精度电阻
发表于 2023-11-22 15:31:46 | 显示全部楼层


evade 发表于 2023-11-22 15:17
https://zhuanlan.zhihu.com/p/541497175?utm_psn=1710676706489122816是在这篇文章中看到的。想问一下您 ...


因为常规带隙基准基本没什么驱动能力,主要提供一个高精度的参考电压
发表于 2023-11-22 22:04:43 | 显示全部楼层
这种结构很很常用的,可以实现精准的电流源。精度可以通过对输入的vref(包括opamp的offset)及对电流镜进行trimming,电阻可以使用片外高精度电阻。
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