台积电20nm工艺的SRAM面积

helimpopo

看到一篇台积电2013年在ISSCC上发表的一篇文章，介绍了其20nm高K工艺下，SRAM的面积。

A 20nm 112Mb SRAM in High-κ Metal-Gate with Assist Circuitry for Low-Leakage and Low-VMIN Applications

bitcell面积是0.081um^2；

                               
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一个112Mb的SRAM，由448个小规模的268Kb的SRAM构成，总面积是40.3mm^2；
算下来，1Mb的SRAM面积差不多是0.35mm^2；

                               
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可以看到，1Mb的SRAM并不是简单地将一个bitcell的面积乘以1M，这里面有很多为了低功耗设计的外围电路。
走线，地址解码也是要占据很大一部分面积。

dcircuit

kamkan