片外电容的LDO

evade · 发表于 2023-11-10 14:20:23

ztstg2018 发表于 2023-11-10 12:42
你是如何计算出内部弥勒补偿后的极点的？

根据米勒补偿算出等效电容然后乘上电阻算的

evade · 发表于 2023-11-10 14:24:23

mmkyy 发表于 2023-11-10 13:53
有这种LDO，这种LDO的好处是片外电容变化范围可以做的比较大，减小负载变化的影响。
主极点在图中的N1节点 ...

嗯嗯，感谢指导，但还有一点问题，就是如果直接不要buffer这一级，功率管直接跟第一级输出相连的话，主极点也在第一级输出这边，感觉可以不需要这个buffer

newlayout · 发表于 2023-11-10 15:17:08

evade 发表于 2023-11-10 11:30
片内是10p左右，片外是1u左右，目前对于这个结构主要有两个问题
（1）为什么在有片外电容的情况下，还一 ...

你这个主极点应该在N4端吧，加buff的话是为了将功率管的栅极极点以及误差放大器的输出极点推到高频。有片外电容的情况下把主极点设置成输出极点一般是为了片外电容值可变化范围更大，满足稳定性。。

evade · 发表于 2023-11-10 15:46:54

newlayout 发表于 2023-11-10 15:17
你这个主极点应该在N4端吧，加buff的话是为了将功率管的栅极极点以及误差放大器的输出极点推到高频。有片 ...

我是按照Cascode补偿分析的，主极点应该在buffer的输入端。如果是在N4端的话该如何分析呢？

newlayout · 发表于 2023-11-10 16:41:49

evade 发表于 2023-11-10 15:46
我是按照Cascode补偿分析的，主极点应该在buffer的输入端。如果是在N4端的话该如何分析呢？ ...

那我cascode补偿记错了，加buff的话应该就是为了提升栅端放电的速度（pmos源随器），提升瞬态响应性能的吧

ztstg2018 · 发表于 2023-11-10 19:43:01

本帖最后由 ztstg2018 于 2023-11-10 19:47 编辑

evade 发表于 2023-11-10 14:20
根据米勒补偿算出等效电容然后乘上电阻算的

这种结构，

1，主极点在N1处
2. N4点是低阻点，所以该处的极点在高频处，同时好处是可以使用更小的补偿电容Cc就能使N1主极点频率更低，以及N4的极点频率更高
3，buff的作用就是降低功率管N2的栅极阻抗，把该处的极点推往高频，同时buff的压摆率更高，提高LDO的瞬态响应性能

evade · 发表于 2023-11-11 14:17:56

ztstg2018 发表于 2023-11-10 19:43
这种结构，

1，主极点在N1处

感谢大佬回复

mmkyy · 发表于 2024-8-14 10:03:27

evade 发表于 2023-11-10 14:24
嗯嗯，感谢指导，但还有一点问题，就是如果直接不要buffer这一级，功率管直接跟第一级输出相连的话，主极 ...

你说的没错，但从稳定性角度考虑，不一定需要buffer。这里buffer还可以提高驱动能力，提高瞬态响应速度

mmkyy · 发表于 2024-8-14 10:06:25

mmkyy 发表于 2023-11-10 13:53
有这种LDO，这种LDO的好处是片外电容变化范围可以做的比较大，减小负载变化的影响。
主极点在图中的N1节点 ...

可以参考下这篇论文

mmkyy · 发表于 2024-8-14 13:15:41

evade 发表于 2023-11-9 21:12
有大佬了解Ahuja频率补偿吗？

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