关于gm/id的一点思考

Shannonbell · 发表于 2023-10-31 17:02:43

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如上图，在深亚微米工艺中，假如需要较快的速度，对于M1，需要一个较低的gm/id，又不想增加功耗，那么只能增加M1的L，这会导致M1的Vgs比较大，假设gm/id在20以内，Vgs已经接近400mV，M2有工作在线性区的风险。假如Vdd只有1V，一般Vcm也固定了为500mV，很难选择让M1的gm/id较小。对于特定的gm/id，基本上Vgs也确定了，但是在深亚微米工艺中，可能不允许这么大的Vgs，所以gm/id的选择并不能随心所欲，是这样吗？

Shannonbell · 发表于 2023-11-1 13:59:30

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