为什么仿真随着温度升高CMOS漏电流减小

xiazhi · 发表于 2023-10-26 16:12:44

求助各位大神，我用HSPICE仿真，仿真代码和结果如下，为什么仿真结果显示，随着温度升高CMOS漏电流减小

搓芯片的酋长 · 发表于 2023-10-28 11:52:32

不太明白，多输出几个端口试试，D/G/S/B

foxroz2003 · 发表于 2023-10-29 20:16:59

你这Vgs都0.9V了，器件（vt约0.4V）都开启了，哪来的漏电？这电压条件下，沟道中电子散射主导，高温下的沟道电阻更大，电流小。

mingming_jay · 发表于 2023-11-8 14:39:40

因为迁移率和阈值电压都随温度升高降低，但是迁移率影响更大，不过在短沟道工艺中可能不成立

xiazhi · 发表于 2023-11-13 16:58:56

mingming_jay 发表于 2023-11-8 14:39
因为迁移率和阈值电压都随温度升高降低，但是迁移率影响更大，不过在短沟道工艺中可能不成立 ...

明白了，谢谢

xiazhi · 发表于 2023-11-13 17:00:41

搓芯片的酋长发表于 2023-10-28 11:52
不太明白，多输出几个端口试试，D/G/S/B

好的，谢谢

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