二极管反向漏电问题

KongDu

在做二极管反偏漏电仿真的时候遇到了一个问题，利用 IC 618 套件仿真时，二极管的反偏漏电无论尺寸变化大小，在25℃时都为10pA。查看了Result Browser 中的内容，在 dcOpInfo 中存在2个相关的参数，一个为 D0 文件夹，一个为 D0/PLUS 文件夹。D0 文件夹下存在子文件夹为 d0，其中显示 i(A) 为 1e-18 的量级，而 D0/PLUS 文件夹下显示i(A) 为 1e-11 的量级。请问这2个结果到底哪个更能体现真实的情况？

查看了相应的 scs 模型文件，该器件的模型是一个 subckt 的形式，其中的组件只有一个二极管模型。我的理解是：D0/PLUS 文件夹下的数据为 DC 仿真得到的结果，是器件端口的数据，而 D0 文件夹下的为模型中各个元素的数据。但由于其组件只有一个二极管，理论上应该是一样的，且D0/PLUS 文件夹下的数据应该会随着尺寸变大而变化，然而并没有变化。

另外又用 HSPICE 进行了验证，也出现了同样的问题：.OP 得到的是1e-18 的量级，而 .PRINT ISUB() 得到的结果是 1e-11 的量级。

KongDu

求问

KongDu

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icdane

why not run .tran and use ideal res to probe? use like tens of thousand diodes connected to the res.

KongDu

icdane 发表于 2023-10-27 13:41
why not run .tran and use ideal res to probe? use like tens of thousand diodes connected to the res.

When I use .tran simulation, the results also keep about 10pA, don’tvary in the same proportion as size.

miroc

把网表和模型里diode的内容贴出来才能分析。
简单的DC仿真，应该没那么复杂。
我想不外乎两种可能：1、模型太粗糙；2、面积的参数没有传递进去。

KongDu

解决了, 是因为仿真设定时gmindc参数太大导致的, 在ADE L中设定Option, 把改参数调小即可