关于使用SMIC18BCD工艺设计高压电路时管子衬底连接方式的问题

Picciss · 发表于 2023-10-19 17:28:45

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本帖最后由 Picciss 于 2023-10-19 17:32 编辑

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请问各位前辈们，我这里是用mos管做了一个浮空轨电路，目的是要把放大器输出级浮空来减少功耗这样一个目的。但是这个连接方式让我产生了怀疑，普通工艺并且在低压下的话，NMOS衬底就接地，PMOS衬底接VDD，但是在高压应用中由于这个5V管子的VGB和VBS不能超过5V，否则就会导致管子击穿。那如果像我图中这样连接，NMOS衬底向下连（连s端），PMOS也向上连（连s端），在版图设计中可不可以过DRC和LVS

Almost · 发表于 2023-10-30 16:40:38

这有点为难版图工了

，如果布局资源够用也还行

禅意 · 发表于 2024-2-2 16:43:06

接个zener管子就可以了

Picciss · 发表于 2024-3-10 10:30:34

禅意发表于 2024-2-2 16:43
接个zener管子就可以了

最后换了dnw管子可以过了

[求助] 关于使用SMIC18BCD工艺设计高压电路时管子衬底连接方式的问题

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